教員業績 - 中払　周 | 東京工科大学

職歴／学内役職・委員

著書・論文歴

学会発表

展覧会・演奏会・競技会等

（最終更新日：2024-03-28 13:40:46）

  ナカハライ　シュウ
  中払　周
   所属   工学部電気電子工学科

職種教授

■ 職歴／学内役職・委員

1.	1999/01～2001/03	日本学術振興会特別研究員（DC2）
2.	2001/04～2013/05	㈱東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
3.	2002/02～2007/12	技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET) 半導体MIRAIプロジェクト研究員
4.	2008/01～2009/07	ハーバード大学物理学科客員研究員
5.	2010/06～2013/05	独立行政法人産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクス研究センター内閣府研究開発支援プログラム(FIRST) 特定集中研究専門員
6.	2013/06～2023/03	独立行政法人(現・国立研究開発法人)物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点主幹研究員
7.	2016/09～2017/03	筑波大学大学院理工学研究科非常勤講師
8.	2019/09～2020/03	筑波大学大学院理工学研究科非常勤講師
9.	2019/12～2023/03	大阪大学産業科学研究所客員准教授
10.	2020/01～2020/12	文部科学省研究振興局参事官(ナノテクノロジー・物質・材料担当)付科学技術・学術行政調査員
11.	2023/04～2026/03	東京工科大学工学部電気電子工学科教授
12.	2023/09～2029/08	東京工科大学大学院工学研究科サステイナブル工学専攻　修士課程教授
13.	2023/09～2029/08	東京工科大学大学院工学研究科サステイナブル工学専攻　博士後期課程教授
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■ 著書・論文歴

1.	2023/06	論文	"Magnetic field imaging by hBN quantum sensor nanoarray" Applied Physics Letters 122, 244003 （共著）
2.	2023/06	論文	Low-frequency noise in hBN/MoS2/hBN transistor at cryogenic temperatures toward low-noise cryo-CMOS device applications Applied Physics Letters 122,pp.262102-1-262102-6 （共著）
3.	2023	論文	"Step electrical switching in VO₂ on hexagonal boron nitride using confined individual metallic domains" Japanese Journal of Applied Physics 62, SG1008 （共著）
4.	2022/09	論文	"Dual‐Gate Anti‐Ambipolar Transistor with Van der Waals ReS₂/WSe₂ Heterojunction for Reconfigurable Logic Operations" Advanced Electronic Materials 2023, 2200704 （共著）
5.	2022	論文	“Electrically Reconfigurable Organic Logic Gates: A Promising Perspective on a Dual-Gate Antiambipolar Transistor” Advanced Materials 34, 2109491 （共著）
6.	2022	論文	“Electron transport tuning of graphene by helium ion irradiation” (invited review) Nano Express 3, 024002 （共著）
7.	2022	論文	“Step-like resistance changes in VO₂ thin films grown on hexagonal boron nitride with in situ optically observable metallic domains” Applied Physics Letters 120, 053104 （共著）
8.	2021/09	論文	"Enhanced Selectivity in Volatile Organic Compound Gas Sensors Based on ReS₂-FETs under Light-Assisted and Gate-Bias Tunable Operation" ACS Applied Materials & Interfaces 13 （共著）
9.	2021/06	その他	「２次元原子膜光多値メモリー開発」材料進化の最前線(NIMS最新成果88) （共著）
10.	2021	論文	“Effect of Light Illumination towards Enhanced Selectivity of Volatile Organic Compound Gas Sensor using a Single-Device ReS2 FET” Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) pp.474-475 （共著）
11.	2021	論文	“Enhanced Selectivity in Volatile Organic Compound Gas Sensors Based on ReS₂-FETs under Light-Assisted and Gate-Bias Tunable Operation” ACS Applied Materials and Interfaces 13,pp.43030-43038 （共著）
12.	2021	論文	“Gate bias tunable humidity sensors based on rhenium disulfide field effect transistors” Japanese Journal of Applied Physics 60, SBBH01 （共著）
13.	2021	論文	“Improved channel electron mobility through electric field reduction in GaN quantum-well double-heterostructures” IEEE Electron Device Letters 42,pp.1595-1595 （共著）
14.	2021	論文	“Localization to delocalization probed by magnetotransport of hBN/graphene/hBN stacks in the ultra-clean regime” Scientific Reports 11, 18845 （共著）
15.	2021	論文	“ReS2/h-BN/Graphene heterostructure based multifunctional devices: tunneling diodes, FETs, logic gates, and memory” Advanced Electronic Materials 7, 2000925 （共著）
16.	2021	論文	“Room-temperature negative magnetoresistance of helium-ion irradiated defective graphene in the strong Anderson localization regime” Carbon 175,pp.87-92 （共著）
17.	2021	論文	“Transport Properties in Folded Bilayer-Bilayer Graphene/Hexagonal Boron Nitride Superlattices under High Magnetic Fields” Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) pp.445-446 （共著）
18.	2021	その他	「二次元層状物質を使った光多値メモリの開発」機能材料2021年1月号 Vol.41(No.1),58-64頁（共著）
19.	2020	論文	“Bubble-Free Transfer Technique for High-Quality Graphene/Hexagonal Boron Nitride van der Waals Heterostructures” ACS Applied Materials and Interfaces 12,pp.8533-8538 （共著）
20.	2020	論文	“Fabrication of folded bilayer-bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattices” Applied Physics Express 13, 035003 （共著）
21.	2020	論文	“Gate-Bias Assisted Humidity Sensor based on ReS2 Field-Effect Transistors” Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM) pp.559-560 （共著）
22.	2020	論文	“Laser-assisted multilevel non-volatile memory device based on 2D van-der-Waals few-layer-ReS₂/h-BN/graphene heterostructures” Advanced Functional Materials 30, 2001688 （共著）
23.	2020	論文	“Light-assisted and gate-tunable oxygen gas sensor based on rhenium disulfide field-effect transistors” Physica Status Solidi 14, 2000330 （共著）
24.	2020	論文	“Observation of charge carrier localization-induced negative magnetoresistance at room temperature in helium-ion-irradiated defective graphene” Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM) pp.529-530 （共著）
25.	2020	論文	“Single-carrier transport in graphene/hBN superlattices” Nano Letters 20,pp.2551-2557 （共著）
26.	2019	論文	"Enhanced Quantum Efficiency in Vertical Mixed-thickness n-ReS₂/p-Si Heterojunction Photodiodes" ACS Photonics 6,pp.2277-2286 （共著）
27.	2019	論文	"Fabry–Pérot resonances and a crossover to the quantum Hall regime in ballistic graphene quantum point contacts" Scientific Reports 9, 3031 （共著）
28.	2019	論文	“Barrier formation at the contacts of vanadium dioxide and transition-metal dichalcogenides” ACS Applied Materials and Interfaces 11,pp.36871-36879 （共著）
29.	2019	論文	“Effect of gap width on electron transport through quantum point contact in hBN/graphene/hBN in the quantum Hall regime” Applied Physics Letters 114,pp.023101 （共著）
30.	2019	論文	“Observation of room temperature electronic localization through a single graphene layer on sapphire” Japanese Journal of Applied Physics 58, 055007 （共著）
31.	2018/01	著書	“Functionality-Enhanced Devices −An alternative to Moore’s Law−“, P.-E. Gaillardon編 pp.97-106 （共著）
32.	2018	論文	“Few-layer ReS2 based vertical p-n van der Waals junction for photosensing” Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM) pp.711-712 （共著）
33.	2018	論文	“Gap width dependence of transport through quantum point contact in hBN/graphene/hBN in the quantum Hall regime” Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM) pp.731-732 （共著）
34.	2018	論文	“In-situ measurement of electron conduction modulation in graphene by helium ion beam irradiation” Proceedings of the 2nd international HeFIB conference on Helium and emerging Focused Ion Beams pp.6-7 （共著）
35.	2018	その他	「Architectonics 機能を引きだすシート状物質が織りなす機能を探求する」 NIMS NOW 18(6),10-11頁（共著）
36.	2017	論文	"Carrier type control of transition metal dichalcogenide semiconductors toward CMOS applications" Proceedings of Frontier Forum on Nanoscience-2017 pp.47-48 （単著）
37.	2017	論文	"Two-dimensional materials for future low-power consumption electronics" International Conference on Functional Nanomaterials & Nanotechnology (ICFNN-2017) pp.87 （単著）
38.	2017	論文	“Carrier Type Control of Transition Metal Dichalcogenide Semiconductors for Advanced CMOS Applications” Extended Abstract of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices -Science and Technology- pp.110-113 （単著）
39.	2017	論文	“Quantum Transport Localization through Graphene” Nanotechnology 28, 035703 （共著）
40.	2016/09	著書	『カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線 −製造・分離・分散・評価から半導体デバイス・複合材料の開発、リスク管理まで−』丸山茂夫監修 201-207頁（共著）
41.	2016/07	著書	『カルコゲナイド系層状物質の最新研究』上野啓司、安藤淳、島田敏宏監修 204-216頁（共著）
42.	2016/05	論文	"Carrier Polarity Control in α‑MoTe2 Schottky Junctions Based on Weak Fermi-Level Pinning" ACS Applied Materials and Interfaces 8(23),pp.14732-14739 （共著）
43.	2016	論文	"Transition metal dichalcogenide semiconductors for low-power nanoelectronics" 4th Malaysia 2D Materials and Carbon Nanotube Workshop pp.12 （単著）
44.	2016	論文	“Anomalous behavior of 1/f noise in graphene near the charge neutrality point” Applied Physics Letters 108,pp.103106 （共著）
45.	2016	論文	“Self-Limiting Oxides on WSe₂ as Controlled Surface Acceptors and Low-Resistance Hole Contacts” Nano Letters 16,pp.2720-2727 （共著）
46.	2015/05	論文	"Electrostatically Reversible Polarity of Ambipolar α‑MoTe₂ Transistors" ACS Nano 9(6),pp.5976-5983 （共著）
47.	2015	論文	“Edge mixing dynamics in graphene p-n junctions in the quantum Hall regime” Nature Communications 6, 8066 （共著）
48.	2015	論文	“Origin of Noise in Layered MoTe₂ Transistors and its Possible Use for Environmental Sensors” Advanced Materials 27,pp.6612-6619 （共著）
49.	2015	論文	“Parity effect of bipolar quantum Hall edge transport around graphene antidots” Scientific Reports 5, 11723 （共著）
50.	2015	論文	“Self-Limiting Layer-by-Layer Oxidation of Atomically Thin WSe₂” Nano Letters 15,pp.2067-2073 （共著）
51.	2015	論文	“Wafer-scale fabrication of transistors using CVD-grown graphene and its application to inverter circuit” Japanese Journal of Applied Physics 54, 04DN06 （共著）
52.	2015	その他	「原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ」信学技報 , SDM2015-55 vol. 115(no. 108),93-98頁（共著）
53.	2014	論文	“Ambipolar MoTe₂ transistors and their applications in logic circuits” Advanced Materials 26,pp.3263-3269 （共著）
54.	2014	論文	“Barrier inhomogeneities at vertically stacked graphene-based heterostructures” Nanoscale 6,pp.795-799 （共著）
55.	2014	論文	“Defect-induced carrier localization in Helium ion irradiated graphene” Abstract of the 28th International Winter School on Electronic Properties of Novel Materials pp.100 （共著）
56.	2014	論文	“Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors” IEEE Transaction on Nanotechnology 13,pp.1039-1043 （共著）
57.	2014	論文	“Semiconducting properties of bilayer graphene modulated by an electric field for next-generation atomic-film electronics” Journal of Physics D: Applied Physics 47, 094003 （共著）
58.	2014	論文	“Spin injection and detection in a graphene lateral spin valve using an yttrium-oxide tunneling barrier” Applied Physics Express 7, 085101 （共著）
59.	2014	論文	“Thickness Scaling Effect on Interfacial Barrier and Electrical Contact to Two-Dimensional MoS₂ Layers” ACS Nano 8,pp.12836-12842 （共著）
60.	2014	論文	“Wafer scale fabrication of transistors using CVD-grown graphene and its application to inverter circuit” Extended Abstract of 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) pp.1064-1065 （共著）
61.	2013/06	論文	"Conduction Tuning of Graphene Based on Defect-Induced Localization" ACS Nano 7,pp.5694-5700 （共著）
62.	2013	論文	"Defect-Induced Localization of Carriers in Graphene and its Applications to Electronics" Abstract of the 5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research 2013 pp.242 （共著）
63.	2013	論文	“Current on-off operation of graphene transistor with dual gates and He ion irradiated channel” Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics 10,pp.1608-1611 （共著）
64.	2013	論文	“Graphene nanoribbon growth and dual-gated graphene transistors” ECS Transactions 53, 5th International Symposium on Graphene, Ge/III-V and Emerging Materials for Post-CMOS Applications-223rd ECS Meeting pp.109-120 （共著）
65.	2013	論文	“Suppression of thermally activated carrier transport in atomically thin MoS₂ on crystalline hexagonal boron nitride substrates” Nanoscale 5,pp.9572-9576 （共著）
66.	2013	論文	“Thickness-dependent interfacial coulomb scattering in atomically thin field-effect transistors” Nano Letters 13,pp.3546-3552 （共著）
67.	2013	その他	「ランダムなポテンシャル擾乱を導入したグラフェンの金属‐絶縁体転移と電気伝導の電界制御」パリティ 28(5),32-34頁（共著）
68.	2013	その他	「新しいグラフェントランジスター」パリティ 28(10),40-42頁（共著）
69.	2013	その他	「新しいグラフェントランジスタの動作原理とその応用」マテリアルステージ 13(2),56-59頁（単著）
70.	2012/12	論文	"Electrostatically-reversible polarity of dual-gated graphene transistors with He ion irradiated channel; toward reconfigurable CMOS applications" IEDM 2012 Techinical Digest 4.2.1 （共著）
71.	2012/02	著書	『グラフェンの機能と応用展望II』斉木幸一朗監修 196-206頁（共著）
72.	2012	論文	“Enhanced current-rectification in bilayer graphene with an electrically tuned sloped band gap” Nanoscale 4,pp.7842-7846 （共著）
73.	2012	論文	“Gate-Controlled P-I-N Junction Switching Device with Graphene Nanoribbon” Applied Physics Express 5, 015101 （共著）
74.	2012	論文	“Quantitative Raman Spectrum and Reliable Thickness Identification for Atomic Layers on Insulating Substrates” ACS Nano 6,pp.7381-7388 （共著）
75.	2012	論文	“Room temperature on-off operation of current in He ion irradiated graphene sheet” Extended Abstract of 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) pp.676 （共著）
76.	2012	論文	“Unipolar transport in bilayer graphene controlled by multiple p-n interfaces” Applied Physics Letters 100, 163115 （共著）
77.	2011	論文	“Gate-Defined Graphene Quantum Point Contact in the Quantum Hall Regime” Physical Review Letters 107, 036602 （共著）
78.	2011	論文	“Gating operation of transport current in graphene nanoribbon fabricated by helium ion microscope” Extended Abstract of 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) pp.1300 （共著）
79.	2009	著書	『Electronic Device Architectures for the Nano-CMOS Era −from Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices−』 Simon Deleonibus編 81-104頁（共著）
80.	2009	論文	“Formation process of high-purity Ge-on-insulator layers by Ge-condensation technique” Journal of Applied Physics 105, 024515 （共著）
81.	2009	論文	“Study of the surface cleaning of GOI and SGOI substrates for Ge epitaxial growth” Applied Surface Science 256,pp.823 （共著）
82.	2008	論文	“Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance” IEEE Transactions on Electron Devices 55,pp.21 （共著）
83.	2008	論文	“Deformation Induced Holes in Ge-Rich SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Substrates Fabricated by Ge Condensation Process” Applied Physics Express 1, 101401 （共著）
84.	2008	論文	“Gate all around (GAA) strained-silicon-on-nothing (SSON) MOSFETs and evaluation of their strain by nano-beam diffraction (NBD)” 2008 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop pp.77 （共著）
85.	2008	論文	“Ge wire MOSFETs fabricated by three-dimensional Ge condensation technique” Thin Solid Films 517,pp.167 （共著）
86.	2008	論文	“High mobility sub-60 nm gate length germanium-on-insulator channel pMOSFETs with metal source/drain and TaN MIPS gate” Extended Abstract of 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) pp.32 （共著）
87.	2007	論文	“Carrier-transport-enhanced CMOS using new channel materials and structures” 2007 International Semiconductor Device Research Symposium 1-2.,pp.464 （共著）
88.	2007	論文	“Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels” Solid-State Electronics 51,pp.526 （共著）
89.	2007	論文	“Hole-mobility enhancement in Ge-rich strained SiGe-on-insulator pMOSFETs at high temperatures” IEEE Transactions on Electron Devices 54,pp.1249 （共著）
90.	2007	論文	“Observation of mobility enhancement in strained Si and SiGe tri-gate MOSFETs with multi-nanowire channels trimmed by hydrogen thermal etching” 2007 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 1-2.,pp.887 （共著）
91.	2007	論文	“Strain analysis in ultrathin SiGe-on-insulator layers formed from strained Si-on-insulator substrates by Ge-condensation process” Applied Physics Letters 90, 181918 （共著）
92.	2007	論文	“Strained SOI/SGOI dual-channel CMOS technology based on the Ge condensation technique” Semiconductor Science and Technology 22,pp.S93 （共著）
93.	2007	論文	“The formation of SGOI structures with low dislocation density by a two-step oxidation and condensation method” Semiconductor Science and Technology 22,pp.S59 （共著）
94.	2007	論文	“The generation of crystal defects in Ge-on-insulator (GOI) layers in the Ge-condensation process” Semiconductor Science and Technology 22,pp.S103 （共著）
95.	2006	論文	"Ge condensation technologies for advanced MOSFETs on SGOI and GOI substrates" the 2006 Joint International Electrochemical Society Meeting, ECS Transactions 3(7),pp.1015 （共著）
96.	2006	論文	"Prospects and critical issues on Ge MOS technologies" the 2006 Joint International Electrochemical Society Meeting, ECS Transactions 3(7),pp.823 （共著）
97.	2006	論文	“Device and substrate technologies for advanced CMOS with mobility enhancement” 2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices 11 （共著）
98.	2006	論文	“Examination of the surface cleaning of GOI and SGOI substrates for Ge epitaxial growth” the 2006 Joint International Electrochemical Society Meeting, ECS Transactions 3(7),pp.1183
99.	2006	論文	“Fabrication and electrical characterization of strained Si-on-insulator/strained SiGe-on-insulator dual channel CMOS structures with high-mobility channels” IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 126,pp.1332-1338 （共著）
100.	2006	論文	“Formation of SGOI structures with low dislocation density by two step oxidation and condensation method” Third International SiGe Technology and Device Meeting pp.200 （共著）
101.	2006	論文	“Generation of crystal defects in Ge-on-insulator (GOI) layers in Ge-condensation process” Third International SiGe Technology and Device Meeting pp.208 （共著）
102.	2006	論文	“Hole mobility enhancement of p-MOSFETs using global and local Ge-channel technologies” Materials Science and Engineering B 135,pp.250 （共著）
103.	2006	論文	“Hole mobility enhanement using SiGe/Ge channels” European Material Research Society Meeting, Symposium B: From Strained Si to Nanotubes: Novel Channels for Field Effect Devices B4-1. （共著）
104.	2006	論文	“Lattice relaxation and dislocation generation/annihilation in SiGe-on-insulator layers during Ge condensation process” Thin Solid Films 508,pp.251 （共著）
105.	2006	論文	“Mobility-enhanced CMOS technologies using strained Si/SiGe/Ge channels” 2006 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, Proceedings pp.165 （共著）
106.	2006	論文	“Mobility-enhanced device technologies using SiGe/Ge MOS channels” 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics pp.5 （共著）
107.	2006	論文	“Strained-SOI technology for high-speed CMOS operation” 2006 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, Proceedings of Technical Papers pp.137 （共著）
108.	2006	論文	“Strained-SOI/SGOI dual channel CMOS technology based on Ge condensation technique” Third International SiGe Technology and Device Meeting pp.160 （共著）
109.	2006	論文	“Thin-body Ge-on-insulator p-channel MOSFETs with Pt germanide metal source/drain” Thin Solid Films 508,pp.346 （共著）
110.	2006	論文	”Reduction of dislocation density in SGOI structures by two step oxidation and condensation method” 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics pp.29 （共著）
111.	2006	その他	「(解説) 高移動度チャネルを有するひずみSi-on-insulator/ひずみSiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性」電気学会論文誌C (電子・情報・システム部門誌) Vol. 126-C(No. 11),1332-1339頁（共著）
112.	2005	論文	"High mobility fully-depleted germanium-on-insulator pMOSFET with 32-nm-thick Ge channel layer formed by Ge-condensation technique" Extended Abstract of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) pp.868 （共著）
113.	2005	論文	"Performance enhancement under high-temperature operation and physical origin of mobility characteristics in Ge rich strained SiGe-on-insulator pMOSFETs" Extended Abstract of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) （共著）
114.	2005	論文	“(110)-surface strained-SOI CMOS devices” IEEE Transactions on Electron Devices 52,pp.367 （共著）
115.	2005	論文	“A new strained-SOI/GOI dual CMOS technology based on local condensation technique” 2005 Symposium on VLSI Technology (VLSI Symp.), Digest of Technical Papers pp.80 （共著）
116.	2005	論文	“High mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs using Pt germanide Schottky source/drain” IEEE Electron Device Letters 26,pp.102 （共著）
117.	2005	論文	“High performance multi-gate pMOSFETs using uniaxially-strained SGOI channels” 2005 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Digest pp.727 （共著）
118.	2005	論文	“High-moibility strained SiGe-on insulator pMOSFETs with Ge-rich surface channels fabricated by local condensation technique” IEEE Electron Device Letters 26,pp.243 （共著）
119.	2005	論文	“High-performance (110)-surface strained-SOI MOSFETs” Materials Science in Semiconductor Proceedings 8,pp.327 （共著）
120.	2005	論文	“High-speed source-heterojunction-MOS-transistor (SHOT) utilizing high-velocity electron injection” IEEE Transactions on Electron Devices 52,pp.2690 （共著）
121.	2005	論文	“Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels” Solid-State Electronics 49,pp.684 （共著）
122.	2005	その他	「シリコン・オン・インシュレータ（SOI）基板構造の歪局ひずみ評価」 Journal of Vacuum Society of Japan（真空） 48(No. 1),18-22頁（共著）
123.	2004	論文	“(110)-surface strained-SOI CMOS technology” Second International SiGe Technology and Device Meeting pp.89 （共著）
124.	2004	論文	“Device characterizations and physical models of strained-Si channel CMOS” Proceedings of the 2004 International conference on Microelectronic Test Structures pp.133 （共著）
125.	2004	論文	“Fabrication and device characteristics of strained-Si-on-insulator (strained-SOI) CMOS” Applied Surface Science 224,pp.241-247 （共著）
126.	2004	論文	“Formation mechanism of Ge-on-insulator layers by Ge-condensation technique” Proceedings of Electrochemical Society Symposium 2004-7 pp.741 （共著）
127.	2004	論文	“High velocity electron injection MOSFETs for ballistic transistors using SiGe/strained-Si heterojunction source structures” 2004 Symposium on VLSI Technology (VLSI Symp.), Digest of Technical Papers pp.202 （共著）
128.	2004	論文	“Kinetics of epitaxial growth of Si and SiGe films on (110) Si substrates” Applied Surface Science 224,pp.188 （共著）
129.	2004	論文	“Selectively-formed high mobility SiGe-on-Insulator pMOSFETs with Ge-rich strained surface channels using local condensation technique” 2004 Symposium on VLSI Technology (VLSI Symp.), Digest of Technical Papers pp.198 （共著）
130.	2004	論文	“SiGe-on-insulator and Ge-on-insulator substrates fabricated by Ge-condensation technique for high-mobility channel CMOS devices” Material Research Society Symposium Proceedings, High-Mobility Group-IV Materials and Devices pp.809 （共著）
131.	2004	論文	“Strain relaxation of strained-Si layers on SiGe-on-insulator (SGOI) structures after mesa isolation” Applied Surface Science 224,pp.113 （共著）
132.	2004	論文	“Strained-Si/SiGe-on-insulator wafers fabricated by Ge-condensation process” 2004 IEEE International SOI Conference, Proceedings pp.141 （共著）
133.	2003/10	論文	Characterization of 7-nm-thick strained Ge-on-insulator layer fabricated by Ge-condensation technique Applied Physics Letters 83 （共著）
134.	2003	論文	(110)-surface strained-SOI CMOS devices with higher carrier mobility 2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers pp.97-98 （共著）
135.	2003	論文	“Channel structure design, fabrication and carrier transport properties of strained-Si/SiGe-On-Insulator (strained-SOI) MOSFETs” 2003 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Digest pp.57 （共著）
136.	2003	論文	“Characterization of 7-nm-thick strained Ge-on-insulator layer fabricated by Ge-condensation technique” Applied Physics Letters 83,pp.3516-3518 （共著）
137.	2003	論文	“Evaluation of relaxation of strained-Si layers on SiGe-on-insulator (SGOI) substrate after mesa isolation” First International SiGe Technology and Device Meeting pp.139 （共著）
138.	2003	論文	“Fabrication and device characteristics of strained-Si-on-insulator (strained-SOI) CMOS” First International SiGe Technology and Device Meeting pp.269 （共著）
139.	2003	論文	“Fabrication of SiGe-on-insulator substrates for high-performance strained SOI-MOSFETs by Ge-condensation technique” 203rd Electrochemical Society Meeting pp.305 （共著）
140.	2003	論文	“Fabrication of ultra-thin strained Ge-on-insulator substrate by Ge-condensation technique” Extended Abstract of 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) pp.266 （共著）
141.	2003	論文	“Formation of strained Si/SiGe on insulator structure with a (110) surface” 2003 IEEE International SOI conference, Proceedings pp.130 （共著）
142.	2003	論文	“High performance strained-SOI CMOSFETs” 203rd Electrochemical Society Meeting pp.159 （共著）
143.	2003	論文	“Kinetices of epitaxial growth of Si and SiGe films on (110) Si substrates” First International SiGe Technology and Device Meeting pp.239 （共著）
144.	2003	論文	“Physical mechanism for high hole mobility in (110)-surface strained- and unstrained-MOSFETs” 2003 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Digest pp.809 （共著）
145.	2003	論文	“Strain evaluation for thin strained-Si on SGOI and strained-Si on nothing (SSON) structures using nano-beam electron diffraction (NBD)” 2003 IEEE International SOI conference, Proceedings pp.138 （共著）
146.	2003	論文	“Strain relaxation mechanism of SiGe-on-insulator layers in the Ge-condensation technique” Proceedings of Third International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures pp.129 （共著）
147.	2003	論文	“Strain relaxation of strained-Si layers on SiGe-on-insulator (SGOI) structures after mesa isolation” Material Research Society Symposium Proceeding 738,pp.317 （共著）
148.	2003	論文	“Strained SOI technology for high-performance, low-power CMOS applications” International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Digest of Technical Papers 46,pp.376 （共著）
149.	2002	論文	“Creeping of pinned vortex lines nearly parallel to the superconducting plane of Bi₂Sr₂CaCu₂O₈ in the irreversible region” Physica C 383,pp.31 （共著）
150.	2002	論文	“Experimental evidence of low dislocation density of SiGe-on-insulator substrates fabricated by oxidizing SiGe/SOI structures” Extended Abstract of 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) pp.146 （共著）
151.	2001	論文	“Scanning tunneling spectroscopy of (TMTSF)₂ClO₄ under magnetic fields at 0.3 K” Synthetic Metals 120,pp.987 （共著）
152.	2001	論文	“Stitching of fluxoids parallel to the superconducting sheet in Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ” Physica C 357,pp.552 （共著）
153.	2000	論文	“Suppression of vortex pinning by field component parallel to the superconducting plane in Bi₂Sr₂CaCu₂O₈” Physical Review B 61,pp.3270-3273 （共著）
154.	1999	論文	“Pinning of vortices nearly parallel to the superconducting plane in κ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Br and κ-(ET)₂Cu(NCS)₂” Journal of Superconductivity 12,pp.579 （共著）
155.	1999	論文	“Vortex lock-in phase diagram in κ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Br and κ-(ET)₂Cu(NCS)₂” Synthetic Metals 103,pp.1896 （共著）
156.	1996	論文	“Successive transition of Josephson vortex ordering in kappa-type BEDT-TTF superconductors” Journal of Low Temperature Physics 105,pp.1697 （共著）
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■ 学会発表

1.	2023/09	単結晶hBNフレーク上に作製したVO2の電流誘起抵抗スイッチングにおけるフレーク境界の効果（応用物理学会秋季学術講演会）
2.	2023/09	二次元原子層薄膜を用いたアンチ・アンバイポーラトランジスタによるロジックインメモリ素子の開発（応用物理学会秋季学術講演会）
3.	2023/03	ドメイン閉じ込めによるVO2/hBNでのステップ電流スイッチ（応用物理学会春季学術講演会）
4.	2023/03	二層-二層グラフェン/hBN超格子素子のキャリア輸送特性（応用物理学会春季学術講演会）
5.	2022/11	Nano/micro-scale phase change electronics using functional oxides/2D material（MNC2022）
6.	2022/11	Step-like electric current switching in VO2/hBN device using individual metallic domains（MNC2022）
7.	2022/09	グラファイト/MoTe2/グラファイト積層構造の作製と電気伝導特性評価（応用物理学会秋季学術講演会）
8.	2022/09	二次元薄膜材料を用いたアンチ・アンバイポーラトランジスタによる論理演算素子の開発（応用物理学会秋季学術講演会）
9.	2022/03	バブルフリー転写法による高品質ファンデルワールス積層構造の作製（応用物理学会春季学術講演会）
10.	2022/03	モアレ超格子二重量子ドット素子における単一キャリア輸送（応用物理学会春季学術講演会）
11.	2021/09	Effect of Light Illumination towards Enhanced Selectivity of Volatile Organic Compound Gas Sensor using a Single-Device ReS2 FET（SSDM2021）
12.	2021/09	Transport Properties in Folded Bilayer-Bilayer Graphene/Hexagonal Boron Nitride Superlattices under High Magnetic Fields（SSDM2021）
13.	2021/09	アンチ・アンバイポーラトランジスタの開発 Ⅵ（応用物理学会秋季学術講演会）
14.	2020/09	Gate-Bias Assisted Humidity Sensor based on ReS2 Field-Effect Transistors（SSDM2020）
15.	2020/09	Negative magnetoresistance of helium-ion-irradiated graphene in the strong Anderson localization regime（応用物理学会秋季学術講演会）
16.	2020/09	Observation of charge carrier localization-induced negative magnetoresistance at room temperature in helium-ion-irradiated defective graphene（SSDM2020）
17.	2020/09	モアレ超格子二重量子ドット素子における量子ホール効果と単一キャリア輸送特性（日本物理学会秋季大会）
18.	2020/03	Negative magnetoresistance in helium-ion-irradiated graphene（応用物理学会春季学術講演会）
19.	2020/03	バブルフリー転写法による高品質グラフェン/hBN素子の作製（応用物理学会春季学術講演会）
20.	2020/03	折り重ね二層/二層グラフェン素子の作製とキャリア輸送特性（応用物理学会春季学術講演会）
21.	2020/03	二層グラフェン/hBN超格子における単キャリア輸送特性（応用物理学会春季学術講演会）
22.	2020/03	二層グラフェン/六方晶窒化ホウ素超格子二重量子ドットにおける単キャリア輸送特性（日本物理学会年次大会）
23.	2019/09	VO2/MoS2界面におけるフェルミレベルピンニング（応用物理学会秋季学術講演会）
24.	2019/09	六方晶窒化ホウ素/2層グラフェン超格子素子における超伝導（応用物理学会秋季学術講演会）
25.	2019/03	Study on magnetoresistance and carrier localization in graphene with defects induced by helium ion microscopy（応用物理学会春季学術講演会）
26.	2019/03	ヘリウムイオン照射グラフェンにおける磁気抵抗のドーズ量依存性（応用物理学会春季学術講演会）
27.	2019	高温超伝導体Bi2212/グラフェン接合素子の作製（日本物理学会秋季大会）
28.	2018/09	Carrier transport analysis of graphene with crystalline defects generated by helium ion beam irradiation（応用物理学会秋季学術講演会）
29.	2018/09	Charge Trapping and Hysteresis Behavior in ReS2/SiO2 and ReS2/hBN Field Effect Transistors（応用物理学会秋季学術講演会）
30.	2018/09	Few-Layer ReS2 based Vertical p-n van der Waals Junction for Photosensing（SSDM2018）
31.	2018/09	Gap Width Dependence of Transport through Quantum Point Contact in hBN/Graphene/hBN in the Quantum Hall Regime（SSDM2018）
32.	2018/09	Role of Traps in Few Layer n-ReS2 Phototransistor on top of p-MoTe2 Layer（応用物理学会秋季学術講演会）
33.	2018/09	ヘリウムイオン照射グラフェンの負の磁気抵抗（応用物理学会秋季学術講演会）
34.	2018/06	“In-situ measurement of electron conduction modulation in graphene by helium ion beam irradiation”（2nd International HeFIB Conference on Helium and Emerging Focused Ion Beams）
35.	2017/03	Charge transport control in graphene by helium ion irradiation and patterning（応用物理学会春季学術講演会）
36.	2016/09	グラフェン量子ホール状態におけるpn接合でのショット雑音（日本物理学会秋季大会）
37.	2016/03	WSe2表面酸化層のp型コンタクト・ドーパント応用（応用物理学会春季学術講演会）
38.	2016/03	“Weak Fermi Level Pinning Effect in Schottky Junction of α-MoTe₂”（American Physical Society March Meeting 2016）
39.	2015/09	WSe2原子層の層数制御酸化（応用物理学会秋季学術講演会）
40.	2015/09	グラフェン薄膜における1/f雑音の測定（日本物理学会秋季大会）
41.	2015/09	遷移金属ダイカルコゲナイドα-MoTe2のショットキー接合における注入キャリアの極性（応用物理学会秋季学術講演会）
42.	2015/03	“Electrostatic control of polarity of α-MoTe2 transistors with dual top gates”（American Physical Society March Meeting 2015）
43.	2015/03	グラフェンp-n接合における1/f雑音の測定（日本物理学会年次大会）
44.	2014/09	CDV成長グラフェンを用いたウェハスケールのトランジスタ作製（応用物理学会秋季学術講演会）
45.	2014/09	“Wafer Scale Fabrication of Transistors using CVD-Grown Graphene and its Application to Inverter Circuit”（2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)）
46.	2014/09	グラフェンpn接合における伝導度測定とショット雑音の試み（日本物理学会秋季大会）
47.	2014/03	pn接合を用いたグラフェン量子ホールエッジ状態のカイラリティ制御（日本物理学会年次大会）
48.	2013/10	“Field Effect Control of Carrier Conduction in He Ion Irradiated Graphene”（AVS 60th International Symposium & Exhibition）
49.	2013/09	CVD成長多層グラフェン配線へのインターカレーション（応用物理学会秋季学術講演会）
50.	2013/05	“Current on-off operation of graphene transistor with dual gates and He ion irradiated channel”（40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)）
51.	2013/03	デュアルゲート構造とヘリウムイオン照射チャネルを有するグラフェントランジスタの極性可変動作（応用物理学会春季学術講演会）
52.	2012/12	“Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel; Toward Reconfigurable CMOS Applications”（2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)）
53.	2012/09	”Room Temperature On-Off Operation of Current in He Ion Irradiated Graphene Sheet”（SSDM2012）
54.	2012/09	ヘリウムイオン照射されたグラフェンシートの室温における電流のゲート変調（応用物理学会秋季学術講演会）
55.	2012/04	“Unipolar Field Effect Transistor Based on Bilayer Graphene with Periodic Potential Modulation”（MRS 2012 Spring Meeting）
56.	2012/03	ゲート制御されたP-I-N接合を有するグラフェンナノリボン素子（応用物理学会春季学術講演会）
57.	2012/02	“Gate-Controlled P-I-N Junction Switching Device with Graphene Nanoribbon”（American Physical Society March Meeting 2012）
58.	2011/09	“Gating Operation of Transport Current in Graphene Nanoribbon”（SSDM2011）
59.	2011/08	CVDグラフェンのグレインの解析とデバイスへの応用（応用物理学会秋季学術講演会）
60.	2011/08	ヘリウムイオン顕微鏡により作製したグラフェンナノリボンにおける電流のオン・オフ特性（応用物理学会秋季学術講演会）
61.	2010/09	量子ホール状態のグラフェン量子ポイントコンタクトにおける量子カオス的輸送（日本物理学会秋季大会）
62.	2008/09	High Mobility sub-60nm Gate Length Germanium-On-Insulator Channel pMOSFETs with Metal Source/Drain and TaN MIPS Gate（SSDM2008）
63.	2008/09	SSON構造より形成したGAA型ひずみSi-MOSFETの試作とひずみのNBD評価（応用物理学会秋季学術講演会）
64.	2007/09	高温水素エッチングによるSOIおよびSGOI-Fin幅揺らぎの低減（応用物理学会秋季学術講演会）
65.	2007/09	立体酸化濃縮法を用いて作製したGe細線MOSFET（応用物理学会秋季学術講演会）
66.	2007/03	TaNゲート及びNiSiGeソースドレインSGOI-MISFETに於けるホール移動度のGe組成依存性（応用物理学会秋季学術講演会）
67.	2007/03	ひずみSOI基板上のSiGeの酸化濃縮によるひずみSiGe-on-insulator層の形成（応用物理学会春季学術講演会）
68.	2007/03	酸化濃縮法によるGe-on-Insulator(GOI) の高純度化条件（応用物理学会春季学術講演会）
69.	2006/09	GOI/SGOI基板表面のGeエピタキシャル成長前クリーニング方法の検討（応用物理学会春季学術講演会）
70.	2006/08	ひずみSGOI-pMOSFETにおける高温下での正孔移動度増大（応用物理学会秋季学術講演会）
71.	2006/05	“Generation of Crystal Defects in Ge-on-Insulator (GOI) Layers in Ge-condensation Process”（3rd International SiGe Technology and Device Meeting）
72.	2006/03	一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs（応用物理学会春季学術講演会）
73.	2006/03	酸化濃縮法によるGe-on-Insulator(GOI)層の形成過程における結晶欠陥の発生（応用物理学会春季学術講演会）
74.	2006/03	二段階酸化濃縮法による低貫通転位密度SGOI構造の作製（応用物理学会春季学術講演会）
75.	2006/02	“Fabrication of Ultra-thin Ge-on-Insulator (GOI) Layers by Ge-Condensation Technique”（JAPAN NANO 2006）
76.	2005/09	Metal Source/Drain Germanium-on-Insulator MOSFET(MSD-GOI MOSFET)の動作実証（応用物理学会秋季学術講演会）
77.	2005/09	Performance Enhancement under High-Temperature Operation and Physical Origin of Mobility Characteristics in Ge-rich strained SiGe-on-Insulator pMOSFETs（SSDM2005）
78.	2005/09	“High Mobility Fully-Depleted Germanium-on-Insulator pMOSFET with 32-nm-Thick Ge Channel Layer Formed by Ge-Condensation Technique”（SSDM2005）
79.	2005/09	局所酸化濃縮法を用いたひずみSOI/ひずみSGOIハイブリッドCMOS技術（応用物理学会秋季学術講演会）
80.	2005/09	酸化濃縮法による完全空乏型Ge-on-Inuslator pMOSFETの作製と高移動度実証（日本物理学会秋季大会）
81.	2005/03	バックゲート電圧によるひずみSOI素子特性の変調効果（応用物理学会春季学術講演会）
82.	2004/09	“Formation Mechanism of Ge-on-Insulator Layers by Ge-condensation Technique”（ECS 2004 Joint International Meeting, SiGe: Materials, Processing, and Devices）
83.	2004/09	ヘテロソース構造を用いた高MOSFET（応用物理学会秋季学術講演会）
84.	2004/09	局所酸化濃縮により作製されたSiGe-on-Insulator pMOSFETにおける高移動度の実証（応用物理学会秋季学術講演会）
85.	2004/09	酸化濃縮法によるひずみSOIウェハーの作製（応用物理学会秋季学術講演会）
86.	2004/03	(110)面ひずみ及び無ひずみ素子における正孔移動度特性（応用物理学会春季学術講演会）
87.	2004/03	NBD法によるStrained-Si-On-Nothing(SSON)構造のひずみの評価（応用物理学会春季学術講演会）
88.	2004/03	（110）表面を有するひずみSi／SGOI基板の作成技術（応用物理学会春季学術講演会）
89.	2004/03	ひずみSiGe薄膜成長時の表面ラフネス・界面転位数密度の変化と格子緩和（応用物理学会春季学術講演会）
90.	2004/03	酸化濃縮法による高純度Ge-on-Insulator(GOI)層の作製（応用物理学会春季学術講演会）
91.	2003/12	Channel structure design, fabrication and carrier transport properties of strained-Si/SiGe-on-insulator (strained-SOI) MOSFETs（IEEE International Electron Devices Meeting 2003）
92.	2003/12	Physical mechanism for high hole mobility in [110]-surface strained- and unstrained-MOSFETs（IEEE International Electron Devices Meeting 2003 (IEDM2003)）
93.	2003/11	Formation of strained Si/SiGe on insulator structure with a [110] surface（2003 IEEE International Conference on SOI）
94.	2003/11	Strain evaluation for thin strained-Si on SGOI and strained-Si on nothing (SSON) structures using nano-beam electron diffraction (NBD)（2003 IEEE International Conference on SOI）
95.	2003/09	(110)Si基板上へのSiGe及びSiエピタキシャル成長の検討（応用物理学会秋季学術講演会）
96.	2003/09	(110)面ひずみSOI-CMOS素子（応用物理学会秋季学術講演会）
97.	2003/09	Fabrication of Ultra-Thin Strained Ge-on-Insulator Substrate by Ge-Condensation Technique（SSDM2003）
98.	2003/09	Nano-electron beam diffraction(NBD)による薄膜ひずみSOI層の局所評価（応用物理学会秋季学術講演会）
99.	2003/09	“Fabrication of Ultra-Thin Strained Ge-on-Insulator Substrate by Ge-condensation Technique”（2003 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)）
100.	2003/09	酸化濃縮法による極薄膜ひずみGe-on-Insulator層の作成（応用物理学会秋季学術講演会）
101.	2003/08	(110)-surface strained-SOI CMOS devices with higher carrier mobility（2003 Symposium on VLSI Technology）
102.	2003/03	“Strain relaxation mechanism of SiGe-on-Insulator layers in the Ge-condensation technique”（Third International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Hetereostructures (ICSi3)）
103.	2003/02	Strained SOI technology for high-performance, low-power CMOS applications（2003 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC2003)）
104.	2002/09	Experimental Evidence of Low Dislocation Density of SiGe-on-Insulator Substrates Fabricated by Oxidizing SiGe/SOI Structures（SSDM2003）
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■ 展覧会・演奏会・競技会等

2015/01/30

nanotech 2015（東京ビックサイト）

■ 取得特許

1.	2005/03/17	「歪み緩和ＳｉＧｅ基板の製造方法」（特許公開2005-72054）
2.	2005/06/02	「素子形成用基板」（特許公開2005-142217）
3.	2009/07	“ELEMENT FABRICATION SUBSTRATE”（United States Patent No.: US 7,557,018B2）
4.	2011/09/15	“TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF”（United States Patent Application Publication No.: US 2011/0220865A1）
5.	2011/09/29	「トランジスタおよびその製造方法」（特許公開2011-192667）
6.	2011/10/27	「半導体装置およびその製造方法」（特許公開2011-216714）
7.	2013/01/07	「半導体装置及びその製造方法」（特許公開2013-004718）
8.	2014/02/06	「グラフェントランジスタの製造方法」（特許公開2014-027166）
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■ 社会における活動

1.	2019/01～	国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM) 論文委員(Area 8) ＊2021年度及び2022年度はArea Vice Chairを担当、2023年度よりArea Chairを担当
2.	2022/01～	マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC) 論文委員(section 2.4)
3.	2019/04～2019/11	International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF 2019) 論文委員
4.	2022/01～2022/07	GRAPHENE2022 International Scientific Committee

■ 所属学会

1.	1996/06～	日本物理学会
2.	2002/06～	応用物理学会

■ 受賞学術賞

1.	2003/10	技術研究組合超先端電子技術開発機構 MIRAIプロジェクト半導体MIRAI最優秀賞
2.	2004/02	IEEE-ISSCC Takuo Sugano Award
3.	2005/10	技術研究組合超先端電子技術開発機構 MIRAIプロジェクト半導体MIRAI最優秀賞
4.	2009/09	International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM) 2009 論文賞