(最終更新日:2022-02-03 19:16:29)
  マエダ ナリヒコ
  前田 就彦
   所属   工学部 電気電子工学科
   職種   教授
■ 職歴/学内役職・委員
1. 1990/04~1994/02 日本電信電話株式会社 NTT基礎研究所 研究員
2. 1994/02~2003/03 NTT基礎研究所 主任研究員
3. 2003/04~2014/07 NTTフォトニクス研究所 主任研究員
4. 2007/04~2014/09 東京大学 生産技術研究所 研究員(非専任)
5. 2007/04~2008/03 立命館大学 COE推進機構 特別招聘教授
全件表示(12件)
■ 著書・論文歴
1. 2021/09 その他  リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaNヘテロ構造FETの電気特性の解析 第82回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 23p-P07-16頁 (共著) 
2. 2021/03 その他  陽極酸化Al GaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性 第68回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 16p-P01-12頁 (共著) 
3. 2021/03 その他  陽極酸化n-GaNの電気伝導特性 第68回応用物理学会春季学術講演会 16p-P01-11頁 (共著) 
4. 2020/03 その他  リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaN ヘテロ構造FETの高温特性 第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 13p-PB1-18頁 (共著) 
5. 2020/03 その他  リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaN ヘテロ構造FETの電流コラプス評価 第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 13p-PB1-19頁 (共著) 
全件表示(118件)
■ 学会発表
1. 2021/09/23 リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaNヘテロ構造FETの電気特性の解析(第82回応用物理学会秋季学術講演会)
2. 2021/03/16 陽極酸化Al GaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性(第68回応用物理学会春季学術講演会)
3. 2021/03/16 陽極酸化n-GaNの電気伝導特性(第68回応用物理学会春季学術講演会)
4. 2020/03/14 GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における選択的陽極酸化を用いたエッチング深さ制御(第67回応用物理学会春季学術講演会)
5. 2020/03/13 リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaN ヘテロ構造FETの高温特性(第67回応用物理学会春季学術講演会)
全件表示(104件)
■ 取得特許
1. 2003/01/20 半導体装置(特許第3369464号)
2. 2010/06/09 半導体装置(特許第4479886号)
3. 2011/01/12 リセスゲート構造HFETおよびその製造方法(特許第4609876号)
4. 2011/10/12 リセスゲート構造HFETおよびその製造方法(特許第4793800号)
5. 2011/10/26 窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ(特許第4799965号)
全件表示(9件)
■ 社会における活動
1. 2002/10~2003/05 ICNS5(5th International Conference on Nitride Semiconductors) 渉外委員
2. 2005/11~2006/10 IWN2006(International Workshop on Nitride Semiconductors 2006) 会計委員
3. 2008/04~2014/03 SPIE Photonics West Program Committee
■ 所属学会
1. 2002/04 電子材料シンポジウム(EMS: Electronic Materials Symp.)
2. 2002/04~2004/03 ∟ 会計委員
3. 2004/04~2009/07 ∟ 論文委員
4. 2009/08~2011/07 ∟ 実行副委員長
5. MRS
全件表示(8件)
■ 受賞学術賞
1. 2000/02 NTT 社内表彰 1999年度NTT物性基礎研究所長表彰業績賞 (AlGaN/GaNヘテロ構造FET)
2. 2003/02 NTT 社内表彰 2002年度先端技術総合研所長表彰 研究開発賞 (窒化物半導体の結晶成長とバンドエンジニアリングの研究)
■ 資格・免許
1. 危険物取扱者(乙4・6)
2. 高圧ガス製造保安責任者(丙種化学)
3. 特定高圧ガス取扱主任者(特殊高圧ガス)
4. 有機溶剤作業主任者