教員業績 - 前田　就彦 | 東京工科大学

職歴／学内役職・委員

著書・論文歴

学会発表

取得特許

（最終更新日：2023-02-07 10:06:34）

  マエダ　ナリヒコ
  前田　就彦
   所属   工学部電気電子工学科

職種教授

■ 職歴／学内役職・委員

1.	1990/04～1994/02	日本電信電話株式会社 NTT基礎研究所研究員
2.	1994/02～2003/03	NTT基礎研究所主任研究員
3.	2003/04～2014/07	NTTフォトニクス研究所主任研究員
4.	2007/04～2014/09	東京大学生産技術研究所研究員（非専任）
5.	2007/04～2008/03	立命館大学 COE推進機構特別招聘教授
6.	2008/04～2009/03	立命館大学立命館グローバル・イノベーション研究機構特別招聘教授（非専任）
7.	2009/04～2011/03	立命館大学総合理工学研究機構チェアプロフェッサー（客員教授）（非専任）
8.	2012/09～2013/03	日本女子大学理学部数物科学科非常勤講師（非専任）
9.	2014/07～2014/09	NTT先端集積デバイス研究所主任研究員
10.	2014/10～2015/03	東京工科大学コンピュータサイエンス学部コンピュータサイエンス学科准教授
11.	2015/04～2017/03	東京工科大学工学部学生委員会委員
12.	2015/04～	東京工科大学工学部電気電子工学科教授
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■ 著書・論文歴

1.	2022/10	その他	2 段階ウェットエッチング法における陽極酸化 n-GaN の電気伝導特性評価第 41 回電子材料シンポジウム講演予稿集（共著）
2.	2022/09	その他	2段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaNの高低温ホール効果測定 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集（共著）
3.	2022/09	その他	AlGaN/GaNリセス構造形成における高温電気特性 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集（共著）
4.	2022/09	その他	AlGaN/GaNリセス構造形成における電気特性変化 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集（共著）
5.	2022/03	その他	2段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaNの電気伝導特性評価 202年第69回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集（共著）
6.	2021/09	その他	リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaNヘテロ構造FETの電気特性の解析第82回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 23p-P07-16頁（共著）
7.	2021/03	その他	陽極酸化Al GaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性第68回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 16p-P01-12頁（共著）
8.	2021/03	その他	陽極酸化n-GaNの電気伝導特性第68回応用物理学会春季学術講演会 16p-P01-11頁（共著）
9.	2020/03	その他	リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaN ヘテロ構造FETの高温特性第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 13p-PB1-18頁（共著）
10.	2020/03	その他	リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaN ヘテロ構造FETの電流コラプス評価第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 13p-PB1-19頁（共著）
11.	2019/09	その他	GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における深さ方向のエッチング制御第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 21p-E310-1頁（共著）
12.	2019/09	その他	リセス構造ノーマリーオンAlGaN/GaN ヘテロ構造FETの電気的特性第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 18a-PB3-12頁（共著）
13.	2019/06	論文	Proposal of GaN oxide-formed two-step wet etching process for n-GaN Japanese Journal of Applied Physics 58,pp.SCCD18 （共著）
14.	2019/03	その他	GaN の酸化膜形成2段階ウェットエチング法における酸化膜の電気的評価第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 19a-I46-2頁（共著）
15.	2018/11	論文	Proposal of GaN oxide-formed two-step wet etching process Abstract of International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 pp.304-304 （共著）
16.	2018/09	その他	GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法の提案第79回応用物理学会秋季学術講演会講予稿集 19a-I46-2頁（共著）
17.	2018/03	その他	AlGaN/GaNヘテロ構造上Ti/Al/Ti/Auオーミック電極の高温接触抵抗評価第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 20p-P6-7頁（共著）
18.	2017/11	その他	High Temperature Characteristics in AlGaN/GaN Asymmetric Open-Gate HFETs with Recessed-Gate Enhanced-Barrier Structures Extended Abstracts of 36th Electric Materials Symposium pp.97-98 （共著）
19.	2015/09	その他	AlGaN/GaNリセスTLMデバイス構造の電気特性評価第76回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13a-1D-7頁（共著）
20.	2015/09	その他	リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN非対称Open-Gate HFETの高温特性第62回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 11p-A21-12頁（共著）
21.	2013	論文	（ジャーナル論文）High-Temperature Characteristics in Recessed-Gate AlGaN/GaN Enhancement-Mode Heterostructure Field Effect Transistors with Enhanced-Barrier Structures Japanese Journal of Applied Physics Vol. 52,08JN18-1-08JN18-4頁（共著）
22.	2013	論文	（ジャーナル論文）Influence of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Regrowth on Characteristics of InAlN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Japanese Journal of Applied Physics Vol. 52,04CF02-1-04CF02-7頁（共著）
23.	2013	論文	（ジャーナル論文）Unintentional Ga incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of In-containing III-nitride semiconductors Journal of Crystal Growth Vol. 382,36-40頁（共著）
24.	2012/10	論文	（国際学会論文）High-Temperature Characteristics in Recessed-Gate AlGaN/GaN E-mode HFETs with Enhanced-Barrier Structures IWN2012(International Workshop on Nitride Semiconductors 2012) Sapporo, Japan （共著）
25.	2012/10	論文	（国際学会論文）Unintentional Ga Incorporation in MOVPE Growth of InAlN IWN2012(International Workshop on Nitride Semiconductors 2012) Sapporo, Japan （共著）
26.	2012/09	論文	（国際学会論文）Characteristics of InAlN/GaN Heterostructures Fabricated by Regrowth Technique SSDM2012(2012 International Conference on Solid State Devices and Materials) Kyoto, Japan （共著）
27.	2012	論文	（ジャーナル論文）High-Temperature Characteristics in Normally Off AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Recessed-Gate Enhanced-Barrier Structures Applied Physics Express Vol. 5,180421-1-180421-3頁（共著）
28.	2010/09	論文	（国際学会論文）Wet Etching Process for InN Device Fabrication IWN2010(International Workshop on Nitride Semiconductors 2010-) Tampa, USA （共著）
29.	2010	論文	（ジャーナル論文）Compressively Strained In_xAl_1-xN/Al_0.22Ga_0.78N/GaN (x=0.245-0.325) Heterostructure Field Effect Transistors with Regrown AlGaN Contact Layers Japanese Journal of Applied Physics Vol. 49,04DF13-1-04DF130-6頁（共著）
30.	2010	論文	（ジャーナル論文）Dependence of Electrical Properties of InAlN/GaN and InAlN/AlGaN/GaN Heterostructures FETs on the AlN Interlayer Thickness IEICE Transactions on Electronics Vol. E93-C,(No.5),579-584頁（共著）
31.	2009/09	論文	（国際学会論文）Compressively Strained-In_xAl_1-xN/Al_0.22Ga_0.78N/GaN (x = 0.245 – 0.325) Heterostructure FETs with Regrown AlGaN Contact Layer SSDM2009(2009 International Conference on Solid State Devices and Materials) Fukushima, Japan （共著）
32.	2009/06	論文	（国際学会論文）Characterization of Contact Resistance of Al, Ti, and Ni on High-quality InN Films grown by RF-MBE EMC2009(Electric Materials Conference 2009) Pennsylvania, USA （共著）
33.	2009/06	論文	（国際学会論文）Potential and Challenges of InN and Related Alloys for Advanced Electronic Devices DRC2009(Device Research Conference 2009)[招待講演] Pennsylvania, USA （共著）
34.	2009/01	論文	（国際学会論文）Design of insulator/AlGaN structures in MIS AlGaN/GaN HFETs for Higher Device Performance SPIE Photonics West 2009[招待講演] San Jose, USA （共著）
35.	2009	論文	（ジャーナル論文）Design of insulator/AlGaN structures in MIS AlGaN/GaN HFETs for higher device performance Proceedings of the SPEE[招待論文] Vol. 7216,721605-721611頁（共著）
36.	2009	論文	（ジャーナル論文）Electrical Properties and Device Characteristics of InAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Physica Status Solidi C Vol. 6(No. 0),S1056-S1060頁（共著）
37.	2009	論文	（ジャーナル論文）Improvement of Device Characteristics in MIS AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors by Designing Insulator/AlGaN Structures Physica Status Solidi C Vol. 6(No. 0),S1049-S1052頁（共著）
38.	2009	論文	（ジャーナル論文）Novel InN Growth Methoal2d under In-rich Condition on GaN/Al₂O₃(0001) Templates Physica Status Solidi C Vol. 6(No. 0),S360-S363頁（共著）
39.	2008/10	論文	（国際学会論文）Electrical Properties and Device Characterization of InAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-effect Transistors IWN2008(International Workshop on Nitride Semiconductors 2008) Montreux, Switzerland （共著）
40.	2008/10	論文	（国際学会論文）Improvement of Device Characteristics in MIS AlGaN/GaN Heterostructure Field-effect Transistors by Designing Insulator/AlGaN Structures IWN2008(International Workshop on Nitride Semiconductors 2008) Montreux, Switzerland （共著）
41.	2008/10	論文	（国際学会論文）Novel InN Growth Method under In-rich Condition on GaN/Al2O3(0001) Templates IWN2008(International Workshop on Nitride Semiconductors 2008) Montreux, Switzerland （共著）
42.	2008	論文	（ジャーナル論文）Fabrication of an InAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructure with a Flat Surface and High Electron Mobility Applied Physics Express Vol. 1,111102-111104頁（共著）
43.	2007/10	論文	（国際学会論文）Insulator Engineering in GaN-based MIS HFETs for Higher Device Performance SPIE Photonics West 2007[招待講演] San Jose, USA （共著）
44.	2007	論文	（ジャーナル論文）Analysis of Electrical Properties of Insulators (Si₃N₄, SiO₂, AlN, and Al₂O₃) /0.5 nm Si₃N₄/AlGaN/GaN Heterostructures Physica Status　Solidi C Vol. 4(No.7),2712-2715頁（共著）
45.	2007	論文	（ジャーナル論文）Insulator Engineering in GaN-based MIS HFETs Proceedings of the SPIE[招待論文] Vol. 6473,647316-1-12.頁（共著）
46.	2007	論文	（ジャーナル論文）Systematic Study of Insulator Deposition Effect (Si₃N₄, SiO₂, AlN, and Al₂O₃) on Electrical Properties in AlGaN/GaN Heterostructures Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46(No.2),547-554頁（共著）
47.	2006/10	論文	（国際学会論文）Analysis of Electrical Properties of AlGaN/GaN Heterostructures with Insulators (Si₃N₄, SiO₂, AlN, and Al₂O₃) ---- Need for Band Engineering including Insulators ---- IWN2006(International Workshop on Nitride Semiconductors 2006) Kyoto, Japan （共著）
48.	2006/10	論文	（国際学会論文）Fabrication of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors IWN2006(International Workshop on Nitride Semiconductors 2006) Kyoto, Japan （共著）
49.	2006/10	論文	（国際学会論文）Physics and Prospects of III-V MIS Devices Workshop in APMC2006(Workshop in Asia Pacific Microwave Conference 2006)[招待講演] Yokohama, Japan （単著）
50.	2006/01	論文	（国際学会論文）Systematic Study of Insulators Deposition Effect (Si₃N₄, SiO₂, AlN, and Al₂O₃) on Electrical Properties in AlGaN/GaN Heterostructures PCSI33(33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces) Cocoa Beach, USA （共著）
51.	2006	論文	（ジャーナル論文）High Temperature Characteristics of Doped Channel AlGaN/GaN MIS-HFETs with Thin AlGaN Barrier Layer Physica Status Solidi C (No.6),2317-2320頁（共著）
52.	2006	論文	（ジャーナル論文）Mechanism of Superior Suppression Effect on Gate Current Leakage in Ultrathin Al₂O₃/Si₃N₄ Bilayer-based AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field-Effect Transistors Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45(No.1A),40-42頁（共著）
53.	2006	論文	（ジャーナル論文）RF and DC Characteristics in Al₂O₃/Si₃N₄ Insulated-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Regrown Ohmic Structure Physica Status Solidi A Vol. 203(No.7),1861-1865頁（共著）
54.	2005/08	論文	（国際学会論文）RF and DC Characteristics in Al₂O₃/Si₃N₄Insulated-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Regrown Ohmic Structure ICNS6(6th International Conference on Nitride Semiconductors) Bremen, Germany （共著）
55.	2005/08	論文	（国際学会論文）”High Temperature Characteristics of Doped Channel AlGaN/GaN MIS-HFETs with Thin AlGaN Barrier Layer” ICNS6(6th International Conference on Nitride Semiconductors) Bremen, Germany （共著）
56.	2005	論文	（ジャーナル論文）Al₂O₃/Si₃N₄ Insulated Gate Channel-Doped AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Regrown Ohmic Structure: Low Gate Leakage Current with High Transconductance Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44(No.4B),2747-2750頁（共著）
57.	2005	論文	（ジャーナル論文）Comparison of AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field-Effect Transistors with Ultrathin Al₂O₃/Si₃N₄ Bilayer and Si₃N₄ Single Layer Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44(No.4B),2747-2450頁（共著）
58.	2005	論文	（ジャーナル論文）DC and RF characteristics in Al₂O₃/Si₃N₄insulated-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors Japanese Journal of Applied Physics [Express Letter] Vol. 44(No.20-23),L646-648頁（共著）
59.	2005	論文	（ジャーナル論文）High Drain Current Density and Reduced Gate Leakage Current in Channel-Doped AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Al2O3/Si3N4 Gate Insulator Applied Physics Letters Vol. 87(No.7),73504-73506頁（共著）
60.	2005	論文	（ジャーナル論文）High Temperature Characteristics of Insulated-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Ultrathin Al₂O₃/Si₃N₄Bilayer Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44(No.11),7889-7891頁（共著）
61.	2005	論文	（ジャーナル論文）Magnetometry of AlGaN/GaN Heterostructure Wafers AIP Conference Proceedings (No.772, pt. 1),447-448頁（共著）
62.	2005	論文	（ジャーナル論文）Superior Suppression of Gate Current Leakage in Al₂O₃/Si₃N₄Bilayer-Based AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field-Effect Transistors Journal of Electronic Materials Vol. 34(No.4),361-364頁（共著）
63.	2004/08	論文	（国際学会論文）Al₂O₃/Si₃N₄ Insulated Gate Channel-Doped AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Regrown Ohmic Structure: Low Gate Leakage Current with High Transconductance SSDM2004(2004 International Conference on Solid State Devices and Materials) Tokyo, Japan （共著）
64.	2004/08	論文	（国際学会論文）Comparison of AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field-Effect Transistors with Ultrathin Al₂O₃/Si₃N₄ Bilayer and Si₃N₄ Single Layer SSDM2004(2004 International Conference on Solid State Devices and Materials) Tokyo, Japan （共著）
65.	2004/07	論文	（国際学会論文）Device Performance at Elevated Temperatures up to 200 oC in AlGaN/GanN Insulated Gate Heterostructure Field Effect Transistors with Ultra-Thin Al₂O₃/Si₃N₄ Bilayer IMFED2004(International Meeting for Future of Electron Devices) Kyoto, Japan （共著）
66.	2004/07	論文	（国際学会論文）Magnetometry of AlGaN/GaN Heterostructure Wafers ICPS27(27th International Conference on the Physics of Semiconductors) Flagstaff, USA （共著）
67.	2004/06	論文	（国際学会論文）Superior Suppression of Gate Current Leakage in Al₂O₃/Si₃N₄ Bilayer-Based AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field-Effect Transistors EMC2004(2004 Electric Materials Conference) Notre Dame, USA （共著）
68.	2004	論文	（ジャーナル論文）Device Performance at Elevated Temperatures up to 200 oC in AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field Effect Transistors with Ultra-Thin Al₂O₃/Si₃N₄ Bilayer Proceedings of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 45-46頁（共著）
69.	2004	論文	（ジャーナル論文）Electron Transport Properties in AlGaN/InGaN/GaN Double Heterostructures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Applied Physics Letters Vol. 84(No.13),2313-15頁（共著）
70.	2004	論文	（ジャーナル論文）Electron Transport Properties in Lightly Si-Doped Ingan Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Japanese Journal of Applied Physics Vol. 43(No. 6A),3356-3359頁（共著）
71.	2004	論文	（ジャーナル論文）Hall Resistance Hysteresis in AlGaN/GaN 2DEG Physica E Vol. 21(No.2-4),676-678頁（共著）
72.	2003/07	論文	（国際学会論文）Hall Resistance Hysteresis in AlGaN/GaN 2DEG MSS11(11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures) Nara, Japan （共著）
73.	2003/05	論文	（国際学会論文）Doping Design of GaN-based Heterostructure Field-Effect Transistors with High Electron Density for High-Power Applications ICNS5(5th International Conference on Nitride Semiconductors)[招待講演] Nara, Japan （共著）
74.	2003	著書	III-V Nitride Semiconductors ---- Applications and Devices ---- Taylor and Francis Books, INC. (New York and London) 271-308頁（共著）
75.	2003	論文	（ジャーナル論文）Doping Design of GaN-based Heterostructure Field-Effect Transistors with High Electron Density for High-Power Applications Physica Status Solidi A Vol. 200(No.1),168-174頁（共著）
76.	2003	論文	（ジャーナル論文）Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Designed for High-Power Applications Optical Materials Vol. 3(No.1-2),211-217頁（共著）
77.	2002/09	論文	（国際学会論文）Doping Design and Two-Dimensional Electron Gas Density in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors for High-Power Applications SSDM2002(2002 International Conference on Solid State Devices and Materials) Nagoya, Japan （共著）
78.	2002/01	論文	（国際学会論文）Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Designed for High-Power Applications IUMRS-ICEM 2002(8th IUMRS International Conference on Electronic Materials)[招待講演] Xi'an, China （共著）
79.	2002	論文	（ジャーナル論文）Back-Doping Design in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors For High-Power Applications Materials Research Society Symposium Proceedings Vol. 693,811-816頁（共著）
80.	2002	論文	（ジャーナル論文）Gate Voltage Dependence of Subband Structure in a Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructures Physica E Vol. 13(No.2-4),1111-1114頁（共著）
81.	2002	論文	（ジャーナル論文）Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of AlGaN/GaN Heterostructures on Sapphire Substrates Journal of Crystal Growth Vol. 237-239(No. 2),956-60頁（共著）
82.	2002	論文	（ジャーナル論文）Spin Splitting in Modulation-Doped AlGaN/GaN Two-Dimensional Electron Gas Applied Physics Letters Vol. 80(No. 17),3126-3128頁（共著）
83.	2002	論文	（ジャーナル論文）Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with High Al Compositions Institute of Physics Conference Series Vol. 170,107-112頁（共著）
84.	2001/12	論文	（国際学会論文）Back-Doping Design in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors for High-Power Applications MRS(MRS 2001 Fall Meeting) Boston, USA （共著）
85.	2001/10	論文	（国際学会論文）Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with High Al Compositions ISCS28(28th International Symposium on Compound Semiconductors) Tokyo, Japan （共著）
86.	2001/07	論文	（国際学会論文）AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with High Al Compositions Fabricated with Selective-Area Regrowth ICNS4(4th International Conference on Nitride Semiconductors) Denver, USA （共著）
87.	2001/07	論文	（国際学会論文）Gate Voltage Dependence of Subband Structure in a Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructures MSS10(10th International Conference on Modulated Semiconductor Structures) Linz, Austria （共著）
88.	2001	論文	（ジャーナル論文）AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With High Al Compositions Fabricated with Selective-Area Regrowth Physica Status Solidi A Vol. 188(No.1),223-236頁（共著）
89.	2001	論文	（ジャーナル論文）High-Temperature Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors Materials Research Society Symposium Proceedings Vol. 639(G11.14.1-5.) （共著）
90.	2001	論文	（ジャーナル論文）High-Temperature Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructures Applied Physics Letters Vol. 79(No.11),1634-1636頁（共著）
91.	2001	論文	（ジャーナル論文）Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Single- and Double-Heterostructure Field Effect Transistors Materials Science & Engineering B (Solid-State Materials for Advanced Technology) Vol. B82(No.1-3),232-237頁（共著）
92.	2000/12	論文	（国際学会論文）High-Temperature Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors MRS(MRS 2000 Fall Meeting) Boston, USA （共著）
93.	2000/09	論文	（国際学会論文）Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors at High Electron Densities IWN2000(International Workshop on Nitride Semiconductors) Nagoya, Japan, （共著）
94.	2000/05	論文	（国際学会論文）Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Single- and Double-Heterostructure Field Effect Transistors E-MRS(European MRS 2000 Spring Meeting)[招待講演] Strasbourg, France （共著）
95.	2000	論文	（ジャーナル論文）Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors at High Electron Densities Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors 953-956頁（共著）
96.	2000	論文	（ジャーナル論文）Enhanced Effect of Polarization on Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Double-Heterostructure Field Effect Transistors Applied Physics Letters Vol. 76(No. 21),3118-3120頁（共著）
97.	2000	論文	（ジャーナル論文）Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/(In)GaN/AlGaN Double-Heterostructure Field Effect Transistors Materials Research Society Symposium Proceedings Vol. 595(W4.7.1-7.) （共著）
98.	1999/12	論文	（国際学会論文）Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/(In)GaN/AlGaN Double-Heterostructure Field Effect Transistors MRS(MRS 1999 Fall Meeting) Boston, USA （共著）
99.	1999/07	論文	（国際学会論文）Enhanced Two-Dimensional Electron Gas Confinement Effect on Transport Properties in AlGaN/InGaN/AlGaN Double-Heterostructures ICNS3(3rd International Conference on Nitride Semiconductors) Montpellier, France （共著）
100.	1999	論文	（ジャーナル論文）Enhanced Electron Mobility in AlGaN/InGaN/AlGaN Double-Heterostructures by Piezoelectric Effect Japanese Journal of Applied Physics Vol. 38(No.7B),L799-801頁（共著）
101.	1999	論文	（ジャーナル論文）Enhanced Two-Dimensional Electron Gas Confinement Effect on Transport Properties in AlGaN/InGaN/AlGaN Double-Heterostructures Physica Status Solidi B Vol. 216(No.1),727-731頁（共著）
102.	1999	論文	（ジャーナル論文）I-V Characteristics and Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties above Room Temperature in Gate-Controlled Al_0.15Ga_0.85N/GaN Heterostructure Institute of Physics Conference Series (No. 162),861-864頁（共著）
103.	1999	論文	（ジャーナル論文）Superior Pinch-Off Characteristics at 400 Degrees C in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors Japanese Journal of Applied Physics Vol. 38(No. 9A-B),L987-989頁（共著）
104.	1998/10	論文	（国際学会論文）I-V Characteristics and Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties above Room Temperature in Gate-Controlled Al_0.15Ga_0.85N/GaN Heterostructure ISCS25(25th International Symposium on Compound Semiconductors) Nara, Japan （共著）
105.	1998	論文	（ジャーナル論文）Effect of Thermal Annealing on Electrical Properties in MBE-grown n-type GaN films Journal of Crystal Growth Vol. 189-190,359-363頁（共著）
106.	1998	論文	（ジャーナル論文）Electrical Characterization of InGaP/GaAs Heterointerfaces Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition Japanese Journal of Applied Physics Vol. 37(No.11A),L1288-1289頁（共著）
107.	1998	論文	（ジャーナル論文）Growth of Al_XGa_1-XN (0<=X<=0.2) and fabrication of AlGaN/GaN superlattice by RF-source MBE Journal of　Crystal Growth Vol. 189-190,114-118頁（共著）
108.	1998	論文	（ジャーナル論文）Step-Flow MOVPE of GaN on SiC Substrates Journal of Crystal Growth Vol. 195(No. 1-4),41-47頁（共著）
109.	1998	論文	（ジャーナル論文）Two-dimensional Electron Gas Density in Al_XGa_1-XN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Applied Physics Letters Vol. 73(No.13),1856-1858頁（共著）
110.	1997/10	論文	（国際学会論文）Growth of Al_XGa_1-XN (0<=X<=0.2) and fabrication of AlGaN/GaN superlattice by RF-source MBE ICNS2(2nd. International Conference on Nitride Semiconductors) Tokushima, Japan （共著）
111.	1997/10	論文	（国際学会論文）”Effect of Thermal Annealing on Electrical Properties in MBE-grown n-type GaN films” ICNS2(2nd. International Conference on Nitride Semiconductors) Tokushima, Japan （共著）
112.	1997	論文	（ジャーナル論文）Dependence on Channel Potential Structures of I-V Characteristics in InAlAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors Journal of Applied Physics Vol. 81(No.3),1552-1565頁（共著）
113.	1996	論文	（ジャーナル論文）High Resolution Electron Microscopy of Dissociated Dislocations in Silicon with A Normal-Incident Electron Beam Philosophical Magazine A Vol. 73(No.2),431-441頁（共著）
114.	1995	著書	High resolution electron microscopy of dissociated dislocations in silicon with normal-incident electron-beam Institute for Solid State Physics, University of Tokyo （共著）
115.	1995	論文	（ジャーナル論文）Epitaxial Growth of AlAs/CoAl/AlAs(001) Heterostructures by Controlling the Metal Surface Journal of Applied Physics Vol. 78(No.10),6013-6026頁（共著）
116.	1993/08	論文	（国際学会論文）Epitaxial Growth of Stoichiometry-Controlled CoAl Films on AlAs(001) SSDM1993(1993 International Conference on Solid State Devices and Materials) Chiba, Japan （共著）
117.	1993	論文	（ジャーナル論文）Epitaxial Growth of Al films on Modulated AlAs(001) Surfaces Journal of Applied Physics Vol. 74(No.4),4461-4471頁（共著）
118.	1990	論文	（ジャーナル論文）Enhanced Dislocation Mobility by Electron-Beam Irradiation in GaP Japanese Journal of Applied Physics Vol. 29(No. 6),1151-1152頁（共著）
119.	1990	論文	（ジャーナル論文）Radiation Enhanced Dislocation Glide and Rapid Degradation Degradation Mechanism in III-V Compound Semiconductor Devices and Structures Symposium 69-80頁（共著）
120.	1989	著書	Excitation-enhanced dislocation mobility in semiconductors : microscopic mechanism Institute for Solid State Physics, University of Tokyo （共著）
121.	1989	論文	（ジャーナル論文）Excitation-Enhanced Dislocation Mobility in Semiconductors –A Microscopic Mechanism– Institute of Physics Conference Series Vol. 104,303-308頁（共著）
122.	1987	論文	（ジャーナル論文）Excitation Effect of Dislocation Mobility in Elementary Semiconductors Izvestiya Akademii Nauk SSSR Seriya Fizicheskaya Vol. 51(No.4),729-734頁（共著）
123.	1986	著書	Effect of excitation on dislocation mobility in elemental semiconductors Institute for Solid State Physics, University of Tokyo （共著）
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■ 学会発表

1.	2022/10/20	2 段階ウェットエッチング法における陽極酸化 n-GaN の電気伝導特性評価（第 41 回電子材料シンポジウム）
2.	2022/09/22	2段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaNの高低温ホール効果測定（2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会）
3.	2022/09/22	AlGaN/GaNリセス構造形成における高温電気特性（2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会）
4.	2022/09/22	AlGaN/GaNリセス構造形成における電気特性変化（2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会）
5.	2022/03/24	2段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaNの電気伝導特性評価（2022年第69回応用物理学会春季学術講演会）
6.	2021/09/23	リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaNヘテロ構造FETの電気特性の解析（第82回応用物理学会秋季学術講演会）
7.	2021/03/16	陽極酸化Al GaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性（第68回応用物理学会春季学術講演会）
8.	2021/03/16	陽極酸化n-GaNの電気伝導特性（第68回応用物理学会春季学術講演会）
9.	2020/03/14	GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における選択的陽極酸化を用いたエッチング深さ制御（第67回応用物理学会春季学術講演会）
10.	2020/03/13	リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaN ヘテロ構造FETの高温特性（第67回応用物理学会春季学術講演会）
11.	2020/03/13	リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaN ヘテロ構造FETの電流コラプス評価（第67回応用物理学会春季学術講演会）
12.	2019/09/21	GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における深さ方向のエッチング制御（第80回応用物理学会秋季学術講演会）
13.	2019/09/18	リセス構造ノーマリーオンAlGaN/GaN ヘテロ構造FETの電気的特性（第80回応用物理学会秋季学術講演会）
14.	2019/03/10	GaN の酸化膜形成2段階ウェットエチング法における酸化膜の電気的評価（第66回応用物理学会春季学術講演会）
15.	2018/09/19	GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法の提案（第79回応用物理学会秋季学術講演会）
16.	2018/03/20	AlGaN/GaNヘテロ構造上Ti/Al/Ti/Auオーミック電極の高温接触抵抗評価（第78回応用物理学会春季学術講演会）
17.	2017/11/09	リセスゲート促進障壁層構造AlGaN/GaN非対称Open –Gate HFETの高温特性（第３６回電子材料シンポジウム）
18.	2015/09/13	（口頭発表論文）AlGaN/GaNリセスTLMデバイス構造の電気特性評価（応用物理学会第７６回応用物理学会秋季学術講演会）
19.	2015/03/11	（口頭発表論文）リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN 非対称Open-Gate HFETの高温特性（応用物理学会第６２回応用物理学会学術講演会）
20.	2013/03	（口頭発表論文）リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN Open-Gate HFETの高温特性（応用物理学会第６０回応用物理学関係連合講演会）
21.	2012/09	（口頭発表論文）InAlNのMOVPE成長における留意点: Gaの混入（応用物理学会第７３回応用物理学会学術講演会）
22.	2012/09	（口頭発表論文）再成長により作製したInAlN/GaN HEMTの特性（応用物理学会第７３回応用物理学会学術講演会）
23.	2012/09	（口頭発表論文）促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの高温特性（応用物理学会第７３回応用物理学会学術講演会）
24.	2012/03	（口頭発表論文）促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの高温特性（応用物理学会第５９回応用物理学関係連合講演会）
25.	2011/11	（口頭発表論文）ノーマリオフ型GaN HFETの高性能化（窒化物半導体応用研究会[依頼講演] 第１２回窒化物半導体応用研究会）
26.	2011/11	（口頭発表論文）促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製（電子情報通信学会電子デバイス研究会）
27.	2011/09	（口頭発表論文）ソース領域オーバーラップゲートAlGaN/GaN E-mode HFETの作製（応用物理学第７２回応用物理学会学術講演会）
28.	2011/06	（口頭発表論文）Improvement of Surface Morphology of Lattice-Matched InAlN/GaN Heterostructure grown by MOVPE（EMS-30 第３０回電子材料シンポジウム）
29.	2011/06	（口頭発表論文）Thin AlGaN/GaN MIS HFETs with Channel-Doping Design for Replacing Conventional HFETs（EMS-30 第３０回電子材料シンポジウム）
30.	2011/03	（口頭発表論文）AlGaN/GaN系ヘテロ構造における促進障壁層構造の提案（応用物理学会第５８回応用物理学関係連合講演会（開催中止ながら大会成立））
31.	2011/03	（口頭発表論文）N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価（応用物理学会第５８回応用物理学関係連合講演会（開催中止ながら大会成立））
32.	2010/09	（口頭発表論文）InAlN/AlGaN/GaN HEMTのAlGaN中間層の高Al組成化の検討（応用物理学会第７１回応用物理学会学術講演会）
33.	2010/09	（口頭発表論文）InAlN/GaNへテロ構造のショットキーリーク特性のMOVPE成長条件の影響（応用物理学会第７１回応用物理学会学術講演会）
34.	2010/09	（口頭発表論文）InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用（応用物理学会第７１回応用物理学会学術講演会）
35.	2010/09	（口頭発表論文）分極電荷埋め込みチャネル構造を有するE-mode GaN FETの試作（応用物理学会第７１回応用物理学会学術講演会）
36.	2010/07	（口頭発表論文）Characterization of Contact Resistance of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Metal on N-polar and In-polar InN Films grown by RF-MBE（EMS-29 第２９回電子材料シンポジウム）
37.	2010/07	（口頭発表論文）Wet Etching by KOH for InN Device Fabrication（EMS-29 第２９回電子材料シンポジウム）
38.	2010/03	（口頭発表論文）分極電荷埋め込みGaN系チャネル構造の提案（応用物理学会第５７回応用物理学関係連合講演会）
39.	2010/01	（口頭発表論文）再成長AlGaNコンタクト層を有するInAlN/AlGaN/GaN FET（電子情報通信学会電子デバイス研究会）
40.	2009/10	（口頭発表論文）Prospects of Nitride MIS HFETs for Higher Device Performance ---- Design of MIS HFETs exceeding Conventional Nitride HFETs ----（SNU Workshop Satellite Workshop on Nitride Semiconductors[招待講演]）
41.	2009/09	（口頭発表論文）AlGaN/GaNヘテロ構造におけるチャネルドーピングによる２次元電子の起源への影響（応用物理学会第７０回応用物理学会学術講演会）
42.	2009/09	（口頭発表論文）CTLM 法によるIn 極性及びN 極性の高品質InN 薄膜へのコンタクト抵抗評価（応用物理学会第７０回応用物理学会学術講演会）
43.	2009/09	（口頭発表論文）高品質InN上薄膜AlN成長構造の作製と電気的特性評価（応用物理学会第７０回応用物理学会学術講演会）
44.	2009/07	（口頭発表論文）Characterization of Metal Contact Resistance using Al, Ti, and Ni on High-quality InN Films grown by RF-MBE（EMS-28 第２８回電子材料シンポジウム）
45.	2009/07	（口頭発表論文）Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI（EMS-28 第２８回電子材料シンポジウム）
46.	2009/06	（口頭発表論文）InAlN障壁層を有するGaN系FET（電子情報通信学会電子デバイス研究会[招待講演]）
47.	2009/06	（口頭発表論文）MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化（電子情報通信学会電子デバイス研究会）
48.	2009/03	（口頭発表論文）CTLM法によるAl, Ti, NiのInNへのコンタクト抵抗評価（応用物理学会第５６回応用物理学関係連合講演会）
49.	2009/03	（口頭発表論文）InAlN/GaNおよびInAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造FETのAlN中間層膜厚の影響（応用物理学会第５６回応用物理学関係連合講演会）
50.	2009/03	（口頭発表論文）「チャネルドーピングによる薄層AlGaN層MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FETのしきい値変調（応用物理学会第５６回応用物理学関係連合講演会）
51.	2009/03	（口頭発表論文）段差AlGaN/GaN基板上へのInN再成長構造の作製と電気的特性評価（応用物理学会第５６回応用物理学関係連合講演会）
52.	2008/09	（口頭発表論文）CTLM法によるInNオーミックコンタクト抵抗の評価（応用物理学会第６９回応用物理学会学術講演会）
53.	2008/09	（口頭発表論文）GaNテンプレート上InN成長におけるRHEEDその場観察法を用いた実効的V/III比制御（応用物理学会第６９回応用物理学会学術講演会）
54.	2008/09	（口頭発表論文）絶縁膜/AlGaN/GaNヘテロ構造における2次元電子濃度の絶縁膜/AlGaN構造依存性（応用物理学会第６９回応用物理学会学術講演会）
55.	2008/09	（口頭発表論文）表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造（電子情報通信学会電子情報通信学会技術研究報告）
56.	2008/09	（口頭発表論文）表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造（応用物理学会第６９回応用物理学会学術講演会）
57.	2008/07	（口頭発表論文）Fabrication and Electrical Characterization of InN MES and MIS Diode Structures（EMS-27 第２７回電子材料シンポジウム）
58.	2008/03	（口頭発表論文）InN MISダイオードの順方向電気的特性（応用物理学会第５５回応用物理学関係連合講演会）
59.	2008/03	（口頭発表論文）MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FETにおける絶縁膜/AlGaN構造の設計の検討（II）（応用物理学会第５５回応用物理学関係連合講演会）
60.	2007/09	（口頭発表論文）MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FETにおける絶縁膜/AlGaN構造の設計の検討（応用物理学会第６８回応用物理学会学術講演会）
61.	2007/04	（口頭発表論文）GaN系へテロ構造FETにおける分極効果とデバイス特性（日本結晶成長学会日本結晶成長学会特別講演会日本学術振興会第１６１委員会第54回研究会[招待講演]）
62.	2007/03	（口頭発表論文）InAlN/GaNヘテロ構造FETにおける絶縁ゲート構造適用の検討（応用物理学会第５４回応用物理学関係連合講演会）
63.	2007/03	（口頭発表論文）InAlN/GaNヘテロ構造の2次元電子ガスの散乱機構の考察（応用物理学会第５４回応用物理学関係連合講演会）
64.	2006/09	（口頭発表論文）InAlN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性における絶縁膜（Si3N4およびAl2O3）の堆積効果（応用物理学会第６７回応用物理学会学術講演会）
65.	2006/09	（口頭発表論文）変調ドープInAlN/GaNヘテロ構造の低オーミック接触抵抗（応用物理学会第６７回応用物理学会学術講演会）
66.	2006/03	（口頭発表論文）AlGaN/GaNヘテロ構造における絶縁膜バンドエンジニアリング　---絶縁膜バンドギャップと電気伝導特性の相関---（応用物理学会第５３回応用物理学関係連合講演会）
67.	2005/09	（口頭発表論文）Mechanism of Significant Suppression Effect on Gate Current Leakage in Ultra-Thin Bilayer-based AlGaN/GaN HFETs（応用物理学会第６６回応用物理学会学術講演会）
68.	2005/09	（口頭発表論文）Si系およびAl系絶縁膜堆積によるAlGaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性への影響（応用物理学会第６６回応用物理学会学術講演会）
69.	2005/03	（口頭発表論文）Al₂O₃/Si₃N₄絶縁ゲート・チャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FETの高周波特性（応用物理学会第５２回応用物理学関係連合講演会）
70.	2004/09	（口頭発表論文）Doped-Channel and Undoped-Channel AlGaN/GaN MIS-HFETs with Thin AlGaN Barrier and Al₂O₃/Si₃N₄ Insulated-Gate Layers（応用物理学会第５２回応用物理学関係連合講演会）
71.	2004/09	（口頭発表論文）Temperature Dependence of Device Performance in AlGaN/GaN MIS-HFET with Ultra-Thin Al2O3/Si3N4 Bilayer Insulator（応用物理学会第６５回応用物理学会学術講演会）
72.	2004/09	（口頭発表論文）高Al組成AlGaN/GaN 2DEG Hall抵抗（応用物理学会第６５回応用物理学会学術講演会）
73.	2004/09	（口頭発表論文）再成長オーミック構造を有するAl₂O₃/Si₃N₄絶縁ゲート・チャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET：低ゲートリーク電流および高相互コンダク（応用物理学会第６５回応用物理学会学術講演会）
74.	2004/03	（口頭発表論文）Suppression of Gate Leakage in AlGaN/GaN MIS-HFET using Very Thin Al2O3/Si3N4 Bilayer Insulator（応用物理学会第５１回応用物理学関係連合講演会）
75.	2004/03	（口頭発表論文）選択再成長法により作製したAl₂O₃/Si₃N₄絶縁ゲート・チャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FETにおけるオーミック特性（応用物理学会第５１回応用物理学関係連合講演会）
76.	2004/03	（口頭発表論文）薄層AlGaN障壁層を有するチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性（応用物理学会第５１回応用物理学関係連合講演会）
77.	2003/09	（口頭発表論文）Al₂O₃/Si₃N₄絶縁ゲート・チャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FETの大電流動作（応用物理学会第６４回応用物理学会学術講演会）
78.	2003/09	（口頭発表論文）AlGaN/GaN 2DEG系の低温磁化測定（応用物理学会第６４回応用物理学会学術講演会）
79.	2003/09	（口頭発表論文）Electron Transport Properties in AlGaN/InGaN Heterostructure Grown by MOVPE（応用物理学会第６４回応用物理学会学術講演会）
80.	2003/05	（口頭発表論文）Al₂O₃/Si₃N₄薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET（電子情報通信学会電子デバイス研究会）
81.	2003/03	（口頭発表論文）Al₂O₃/Si₃N₄薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET（応用物理学会第５０回応用物理学関係連合講演会）
82.	2003/03	（口頭発表論文）AlGaN/GaN 2DEG系におけるホール抵抗のヒステリシス（応用物理学会第５０回応用物理学関係連合講演会）
83.	2003/03	（口頭発表論文）Electron Transport Properties in n-InGaN Films Grown by MOVPE（応用物理学会第５０回応用物理学関係連合講演会）
84.	2003/03	（口頭発表論文）高濃度２次元電子を有する薄層チャネルAlGaN/GaNダブルへテロ構造（応用物理学会第５０回応用物理学関係連合講演会）
85.	2002/09	（口頭発表論文）AlGaN/GaN 2DEG系におけるホール抵抗のプラトー化（応用物理学会第６３回応用物理学会学術講演会）
86.	2002/09	（口頭発表論文）AlGaN/GaNヘテロ構造FETの高低温高周波特性（応用物理学会第６３回応用物理学会学術講演会）
87.	2002/09	（口頭発表論文）バックドーピング設計による高出力用AlGaN/GaNヘテロ構造FET（応用物理学会第６３回応用物理学会学術講演会）
88.	2002/03	（口頭発表論文）AlGaN/GaN 2DEGにおけるスピン分離（応用物理学会第４９回応用物理学関係連合講演会）
89.	2002/03	（口頭発表論文）バックドーピング設計による高電子濃度AlGaN/GaNヘテロ構造FET（応用物理学会第４９回応用物理学関係連合講演会）
90.	2001/09	（口頭発表論文）高Al組成AlGaN/GaNヘテロ構造FETの２次元電子輸送特性（応用物理学会第６２回応用物理学会学術講演会）
91.	2001/03	（口頭発表論文）AlGaN/GaN 2DEG系におけるサブバンド（応用物理学会第４８回応用物理学関係連合講演会）
92.	2001/03	（口頭発表論文）AlGaN/GaNへテロ構造FETにおける高温電子輸送特性（応用物理学会第４８回応用物理学関係連合講演会）
93.	2001/03	（口頭発表論文）AlGaN/GaNヘテロ構造２次元電子ガスの電気伝導特性（応用物理学会第４８回応用物理学関係連合講演会[招待講演]）
94.	2001/03	（口頭発表論文）選択再成長を用いたAlGaN/GaN HFETの作製（応用物理学会第４８回応用物理学関係連合講演会）
95.	2000/09	（口頭発表論文）AlGaN/GaNヘテロ構造FETの高電子濃度における電子輸送特性（応用物理学会第６１回応用物理学会学術講演会）
96.	2000/09	（口頭発表論文）GaN系へテロ構造の電気伝導特性とFET特性（電子情報通信学会２０００年ソサイエティ大会）
97.	2000/03	（口頭発表論文）AlGaN/GaNシングルおよびダブルヘテロ構造FET における２次元電子移動度の電子濃度依存性（応用物理学会第４７回応用物理学関係連合講演会）
98.	1999/12	（口頭発表論文）AlGaN/GaNシングルおよびダブル・ヘテロ構造の電子輸送およびFET特性（SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第８回SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会[招待講演]）
99.	1999/12	（口頭発表論文）GaNヘテロ構造高温デバイス（高温エレクトロニクス研究会第１０回高温エレクトロニクス研究会[招待講演]）
100.	1999/11	（口頭発表論文） AlGaN/(In)GaN/AlGaNダブル・ヘテロ構造FETの電子輸送およびデバイス特性（応用電子物性分科会応用電子物性分科会[招待講演]）
101.	1999/11	（口頭発表論文）高温動作AlGaN/GaNヘテロ構造FET（電気学会調査専門委員会電気学会調査専門委員会[招待講演]）
102.	1999/10	（口頭発表論文）GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性（電子情報通信学会電子デバイス研究会）
103.	1999/09	（口頭発表論文）AlGaN/GaN/AlGaN ダブルヘテロ構造 FET の静特性（応用物理学会第６０回応用物理学会学術講演会）
104.	1999/03	（口頭発表論文）400 ℃動作 AlGaN/GaN HFET の静特性（応用物理学会第４６回応用物理学関係連合講演会）
105.	1999/03	（口頭発表論文）ピエゾ効果電子閉じこめ AlGaN/GaN/AlGaN HFET構造の電気伝導特性（応用物理学会第４６回応用物理学関係連合講演会）
106.	1998/09	（口頭発表論文）ゲート制御を行った AlGaN/GaN HEMT 構造の電気伝導特性（応用物理学会第５９回応用物理学会学術講演会）
107.	1998/03	（口頭発表論文）AlGaN/GaN HEMT 構造における２次元電子濃度の解析（応用物理学会第４５回応用物理学関係連合講演会）
108.	1997/10	（口頭発表論文）RF-MBE法によるAlGaN/GaNダブル・へテロ構造２次元電子系の作製（応用物理学会第５８回応用物理学会学術講演会）
109.	1997/03	（口頭発表論文）MBE成長GaN薄膜の電気伝導特性に対するアニーリング効果（応用物理学会第４４回応用物理学関係連合講演会）
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■ 取得特許

1.	2003/01/20	半導体装置（特許第3369464号）
2.	2010/06/09	半導体装置（特許第4479886号）
3.	2011/01/12	リセスゲート構造HFETおよびその製造方法（特許第4609876号）
4.	2011/10/12	リセスゲート構造HFETおよびその製造方法（特許第4793800号）
5.	2011/10/26	窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ（特許第4799965号）
6.	2011/11/24	窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ（特許第4823671号）
7.	2011/12/07	半導体装置（特許第4832768号）
8.	2011/12/14	半導体装置（特許第4836111号）
9.	2012/03/07	窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ（特許第4890899号）
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■ 社会における活動

1.	2002/10～2003/05	ICNS5(5th International Conference on Nitride Semiconductors)　渉外委員
2.	2005/11～2006/10	IWN2006(International Workshop on Nitride Semiconductors 2006)　会計委員
3.	2008/04～2014/03	SPIE Photonics West Program Committee

■ 所属学会

1.	2002/04	電子材料シンポジウム（EMS: Electronic Materials Symp.）
2.	2002/04～2004/03	∟ 会計委員
3.	2004/04～2009/07	∟ 論文委員
4.	2009/08～2011/07	∟ 実行副委員長
5.		MRS
6.		応用物理学会
7.		情報通信学会
8.		日本物理学会
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■ 受賞学術賞

1.	2000/02	NTT 社内表彰　1999年度NTT物性基礎研究所長表彰業績賞 (AlGaN/GaNヘテロ構造FET)
2.	2003/02	NTT 社内表彰　2002年度先端技術総合研所長表彰　研究開発賞 (窒化物半導体の結晶成長とバンドエンジニアリングの研究)

■ 資格・免許

1.		危険物取扱者（乙４・６）
2.		高圧ガス製造保安責任者（丙種化学）
3.		特定高圧ガス取扱主任者（特殊高圧ガス）
4.		有機溶剤作業主任者