東京工科大学教員業績

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（最終更新日：2018-02-06 16:14:36）

  タカハシ　マサオ   Masao Takahashi
  高橋　昌男
   所属   工学部応用化学科
   職種   教授

■ 職歴／学内役職・委員

1.	1985/04～1988/09	大阪女子大学不明非常勤講師
2.	1986/07～2000/03	大阪大学産業科学研究所助手
3.	1989/04～2000/03	大阪産業大学教養部非常勤講師
4.	1994/05～1994/07	日仏共同研究フランス国ナント大学材料研究所研究員
5.	2000/04～2007/03	大阪大学産業科学研究所助教授
6.	2007/04～	大阪大学産業科学研究所准教授
7.	2015/04～2017/03	東京工科大学大学評議会委員
8.	2015/04～2017/03	東京工科大学工学部学部運営委員会委員
9.	2015/04～2017/03	東京工科大学工学部学部運営連絡会委員
10.	2015/04～2017/03	東京工科大学工学部教務委員会委員長
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■ 著書・論文歴

1.	2017/01	論文	Effect of HCN passivation on silicon oxide thin layer （共著）
2.	2015	論文	Interaction of KCN solutions with Si-based thin films （共著）
3.	2014/10	論文	Investigation of interface states distribution in metal-oxide-semiconductor structures with very thin oxides by acoustic spectroscopy （共著）

■ 学会発表

1.	2017/07/20	電気化学的酸化法によるアニオン複合型酸化物層の室温形成とその生体親和性（日本材料学会セラミック材料部門委員会学術講演会）
2.	2015/08/05	室温の電気化学的酸化法で作製した TiO_2-xN_x 薄膜の化学結合状態（第28回DV-Xα研究会）
3.	2015/07/14	電気化学的酸化法によるオキシナイトライドコーティングの低温形成（セラミック材料部門委員会学術講演会（146回セラミック材料部門委員会））
4.	2013/03/30	化学的転写法によるメッシュ構造のシリコン表面への構造転写と極低反射率化（第60回応用物理学会春季学術講演会）
5.	2012/09/11	太陽電池用シリコンウェーハの欠陥消滅型洗浄：表面汚染金属除去と少数キャリアライフタイムの増加（第73回応用物理学会学術講演会）
6.	2011/12/13	Fabrication of low reflectivity Si surfaces with the inverted pyramidal structure by use of Pt catalytic activity（International Symposium on Surface Science）
7.	2011/08/30	太陽電池電極用アルミニウムのシリコン基板との反応性(2)シリコン基板へのAl拡散（第72回応用物理学会学術講演会）
8.	2011/08/10	シアン化法によるシリコン表面パッシベーションにおける化学結合（第24回DV-Xα研究会）
9.	2010/09/23	HCN水溶液による半導体表面清浄化：10¹⁰原子/cm²オーダの銅の化学状態解析（日本物理学会2010年秋季大会）
10.	2010/06/18	欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去（電子情報通信学会電子デバイス研究会）
11.	2010/03/23	HCN水溶液によるSiO₂表面の銅除去：極微量汚染銅の化学結合状態（日本物理学会第65回年次大会）
12.	2009/09/28	HCN水溶液によるSiO₂表面の吸着Ni除去機構（日本物理学会2009年秋季大会）
13.	2009/04/01	ppmオーダの欠陥消滅型半導体洗浄液によるSiO2表面上の銅汚染除去（第56回応用物理学関係連合講演会）
14.	2008/11/12	Semiconductor cleaning by use of hydrocyanic acid solutions with extremely low concentrations（International Symposium on Surface Science and Nanotechnology,）
15.	2008/09/23	HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去（日本物理学会2008年秋季大会）
16.	2008/03/24	HCN水溶液によるシリコン表面上の吸着銅の完全除去と表面形態制御（日本物理学会第63回年次大会）
17.	2007/09/08	欠陥消滅型半導体洗浄液によるベアシリコン表面制御（第68回応用物理学会学術講演会）
18.	2007/03/28	欠陥消滅型半導体洗浄液によるbare Si上のCu汚染の除去(2)表面形態制御（第54回応用物理学関係連合講演会）
19.	2007/03/18	硝酸酸化法で形成したSiO2/SiC構造の表面・界面：水素処理の効果（日本物理学会2007年春季大会）
20.	2006/12/05	120℃の硝酸水溶液中でのSiC上への酸化膜形成（粉体粉末冶金協会平成18年度秋季大会）
21.	2006/08/29	電圧印加時のXPS測定によるHfO₂/SiON/Si構造の界面準位（第67回応用物理学会学術講演会）
22.	2006/03/27	硝酸酸化法による低温生成SiO₂膜の微構造（日本物理学会第61回年次大会）
23.	2005/10/17	A new semiconductor cleaning method by the use of defect passivation etchless cleaning solutions（208th Meeting of the Electrochemical Society,）
24.	2005/09/22	シアン化物イオンによるSi表面の金属脱離（日本物理学会2005年秋季大会）
25.	2005/09/19	Electrochemical formation of silicon oxynitride layers at room temperature（RIVA V - 5th Iberian Vacuum Meeting,）
26.	2005/03/29	半導体新洗浄液による重金属汚染の除去（第52回応用物理学関係連合講演会）
27.	2005/03/24	シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製（日本物理学会第60回年次大会）
28.	2004/12/04	新規溶液化学プロセスによる半導体洗浄と欠陥終端化処理（第23回吸着分子の分光学的研究セミナー）
29.	2004/11/02	Formation of ultrathin silicon dioxide layers with a low leakage current density by nitric acid oxidation of Si（3rd International Symposium on the Science of Engineering Ceramics,）
30.	2004/09/15	非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去(2)：銅除去機構（日本物理学会2004年秋季大会）
31.	2004/09/03	半導体新洗浄液によるシリコンデバイス洗浄とpn接合Si太陽電池のシアン処理（第65回応用物理学会学術講演会）
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■ 講師・講演

1.	2002/08	Improvement of solar cell characteristics by eliminating defect states in Si using the cyanide treatment method
2.	2005/04	Defect passivation and improvement of solar cell characteristics by the use of new cleaning solutions（Florence, Italy）
3.	2005/09	Low temperature formation of SiO2 layers by nitric acid oxidation of Si（Ustron, Poland）
4.	2006/01	Improvement of solar cell materials by the use of defect passivation etchless solutions（Chengdu, China）
5.	2006/05	Si defect passivation and cleaning method by use of new chemistry（Algeria）
6.	2006/11	Semiconductor surface cleaning and passivation by the chemical treatment in solutions of hydrogen cyanide（Slovak Republic）
7.	2007/09	Surface chemistry in Si cleaning with cyanide solutions（Zakopane, Poland）
8.	2008/05	Surface cleaning and defect passivation by the use of cyanide solutions（Zeralda, Algeria）
9.	2008/11	Passivation of defect states in surface and edge regions on pn-junction Si solar cells by use of hydrogen cyanide solutions（Slovak Republic）
10.	2009/09	Semiconductor surface cleaning by ppm order-defect passivation etchless solutions（Zakopane, Poland）
11.	2009/11	Local structures around nickel contaminants on SiO₂ surfaces and mechanism of nickel removal by dilute hydrocyanic acid aqueous solutions（Florence, Italy）
12.	2010/01	Improvement of solar cell characteristics using semiconductor cleaning solutions（Sakai, Japan）
13.	2010/08	Studies on formation of functional materials assisted by understanding their chemical states（DaeJeon, Korea）
14.	2011/10	シリコン基板表面の表面欠陥・金属汚染除去（東京）
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■ 取得特許

1.	2005/02	太陽電池およびその製造方法（特願2005-139326）
2.	2011/01/21	太陽電池素子およびその製造方法（第4668523号）
3.	2012/03/16	半導体処理溶液の製造方法及びその製造装置（第4947454号）
4.	2013/04/12	太陽電池用ペースト材及び太陽電池の製造方法（第5241758号）

■ 所属学会

1.	1979/03～	日本化学会
2.	1985/04～	日本分析化学会
3.	1996/04～	放射光学会
4.	1998/07～	材料学会
5.	2000～	∟ セラミック材料部門委員会幹事
6.	2000/04～	応用物理学会
7.	2002/04～	日本物理学会
8.	2004/09～	日本表面科学会
9.	2005/10～	Electrochemical Society
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■ 委員会・協会等

1.	1986/08～	日本セラミックス協会会員
2.	1991/04～	粉体及び粉末冶金協会会員
3.	1992/04～	DV-Xα研究協会会員
4.	1996～2012	DV-Xα研究協会常任幹事

■ 受賞学術賞

2010/08

学術賞

■ 資格・免許

1.	1983/03	高等学校教諭専修免許（理科）
2.	2001/05	特定高圧ガス取り扱い主任者
3.	2004/03	衛生工学衛生管理士

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