1. |
2021/12/09 |
フッ素ドープTiO2/Ti構造の室温創製と光触媒機能(日本材料学会157回セラミック材料部門委員会)
|
2. |
2021/05/29 |
電気化学的酸化法で作製したオキシ窒化タンタル/Ta構造とその電気的特性(日本材料学会第70期学術講演会)
|
3. |
2021/01/29 |
GaおよびTaを添加した酸化スズ薄膜の化学状態(日本材料学会156回セラミック材料部門委員会)
|
4. |
2020/05/30 |
電気化学的酸化法によるオキシ窒化タンタル薄膜の室温創製(日本材料学会第69期学術講演会)
|
5. |
2019/07/26 |
電気化学的酸化膜形成法で作製した酸化チタン/チタン構造の色素分解特性(日本材料学会 セラミック材料部門委員会 学術講演会)
|
6. |
2018/07/24 |
電気化学的酸化法で形成した複合アニオン化合物層の生体親和性:プレ電気化学処理の効果(日本材料学会 セラミック材料部門委員会 学術講演会)
|
7. |
2017/07/20 |
電気化学的酸化法によるアニオン複合型酸化物層の室温形成とその生体親和性(日本材料学会 セラミック材料部門委員会 学術講演会)
|
8. |
2015/08/05 |
室温の電気化学的酸化法で作製した TiO2-xNx 薄膜の化学結合状態(第28回DV-Xα研究会)
|
9. |
2015/07/14 |
電気化学的酸化法によるオキシナイトライドコーティングの低温形成(セラミック材料部門委員会 学術講演会(146回セラミック材料部門委員会))
|
10. |
2013/03/30 |
化学的転写法によるメッシュ構造のシリコン表面への構造転写と極低反射率化(第60回応用物理学会春季学術講演会)
|
11. |
2012/09/11 |
太陽電池用シリコンウェーハの欠陥消滅型洗浄:表面汚染金属除去と少数キャリアライフタイムの増加(第73回応用物理学会学術講演会)
|
12. |
2011/12/13 |
Fabrication of low reflectivity Si surfaces with the inverted pyramidal structure by use of Pt catalytic activity(International Symposium on Surface Science)
|
13. |
2011/08/30 |
太陽電池電極用アルミニウムのシリコン基板との反応性(2)シリコン基板へのAl拡散(第72回応用物理学会学術講演会)
|
14. |
2011/08/10 |
シアン化法によるシリコン表面パッシベーションにおける化学結合(第24回DV-Xα研究会)
|
15. |
2010/09/23 |
HCN水溶液による半導体表面清浄化:1010原子/cm2オーダの銅の化学状態解析(日本物理学会2010年秋季大会)
|
16. |
2010/06/18 |
欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去(電子情報通信学会電子デバイス研究会)
|
17. |
2010/03/23 |
HCN水溶液によるSiO2表面の銅除去:極微量汚染銅の化学結合状態(日本物理学会第65回年次大会)
|
18. |
2009/09/28 |
HCN水溶液によるSiO2表面の吸着Ni除去機構(日本物理学会2009年秋季大会)
|
19. |
2009/04/01 |
ppmオーダの欠陥消滅型半導体洗浄液によるSiO2表面上の銅汚染除去(第56回応用物理学関係連合講演会)
|
20. |
2008/11/12 |
Semiconductor cleaning by use of hydrocyanic acid solutions with extremely low concentrations(International Symposium on Surface Science and Nanotechnology,)
|
21. |
2008/09/23 |
HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去(日本物理学会2008年秋季大会)
|
22. |
2008/03/24 |
HCN水溶液によるシリコン表面上の吸着銅の完全除去と表面形態制御(日本物理学会第63回年次大会)
|
23. |
2007/09/08 |
欠陥消滅型半導体洗浄液によるベアシリコン表面制御(第68回応用物理学会学術講演会)
|
24. |
2007/03/28 |
欠陥消滅型半導体洗浄液によるbare Si上のCu汚染の除去(2)表面形態制御(第54回応用物理学関係連合講演会)
|
25. |
2007/03/18 |
硝酸酸化法で形成したSiO2/SiC構造の表面・界面:水素処理の効果(日本物理学会2007年春季大会)
|
26. |
2006/12/05 |
120℃の硝酸水溶液中でのSiC上への酸化膜形成(粉体粉末冶金協会平成18年度秋季大会)
|
27. |
2006/08/29 |
電圧印加時のXPS測定によるHfO2/SiON/Si構造の界面準位(第67回応用物理学会学術講演会)
|
28. |
2006/03/27 |
硝酸酸化法による低温生成SiO2膜の微構造(日本物理学会第61回年次大会)
|
29. |
2005/10/17 |
A new semiconductor cleaning method by the use of defect passivation etchless cleaning solutions(208th Meeting of the Electrochemical Society,)
|
30. |
2005/09/22 |
シアン化物イオンによるSi表面の金属脱離(日本物理学会2005年秋季大会)
|
31. |
2005/09/19 |
Electrochemical formation of silicon oxynitride layers at room temperature(RIVA V - 5th Iberian Vacuum Meeting,)
|
32. |
2005/03/29 |
半導体新洗浄液による重金属汚染の除去(第52回応用物理学関係連合講演会)
|
33. |
2005/03/24 |
シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製(日本物理学会第60回年次大会)
|
34. |
2004/12/04 |
新規溶液化学プロセスによる半導体洗浄と欠陥終端化処理(第23回吸着分子の分光学的研究セミナー)
|
35. |
2004/11/02 |
Formation of ultrathin silicon dioxide layers with a low leakage current density by nitric acid oxidation of Si(3rd International Symposium on the Science of Engineering Ceramics,)
|
36. |
2004/09/15 |
非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去(2):銅除去機構(日本物理学会2004年秋季大会)
|
37. |
2004/09/03 |
半導体新洗浄液によるシリコンデバイス洗浄とpn接合Si太陽電池のシアン処理(第65回応用物理学会学術講演会)
|
5件表示
|
全件表示(37件)
|