タカギ　シゲユキ   高木　茂行    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2015/03
形態種別	学術論文
標題	Comparison of CF4 and C4F8 gas etching profiles by multiscale simulation
執筆形態	共著
掲載誌名	Japanese Journal of Applied Physics
出版社・発行元	応用物理学会
概要	CF4とC4F8ガスを使ったコンタクトホールの酸化膜エッチングを、気相反応、輸送、表面反応モデルからなるマルチスケールシミュレーションで比較した。表面反応モデルでは、CF2ラジカルによるPolymer層と変質層の生成と、イオン衝撃によるエッチング量を求め、エッチング形状を計算した。深さ820nm、開口径160nmの初期構造に対するエッチング後の形状は、C4F8ガスでは、レジスト高さが約70nｍが高く、レジスト下のエッチング径が約10nm小さくなることが示された。C4F8ガスでは、CF2密度がCF4ガスでの約30倍と高く、Polymer層により下地膜が保護されるためである。CF4とC4F8ガスによるエッチング形状の差を、シミュレーションにより初めて明らかにした。