マエダ　ナリヒコ   前田　就彦    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2003/05
形態種別	国際会議論文
査読	査読あり
標題	（国際学会論文）Doping Design of GaN-based Heterostructure Field-Effect Transistors with High Electron Density for High-Power Applications
執筆形態	共著
掲載誌名	ICNS5(5th International Conference on Nitride Semiconductors)[招待講演]
巻・号・頁	Nara, Japan
著者・共著者	N. Maeda, T. Tawara, T. Saitoh, K. Tsubaki, and N. Kobayashi
概要	主筆