マエダ　ナリヒコ   前田　就彦    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2017/11
形態種別	学術講演予稿集（学会、研究会を含む）
査読	査読あり
標題	High Temperature Characteristics in AlGaN/GaN Asymmetric Open-Gate HFETs with Recessed-Gate Enhanced-Barrier Structures
執筆形態	共著
掲載誌名	Extended Abstracts of 36th Electric Materials Symposium
掲載区分	国内
出版社・発行元	Electronic Materials Symposium Committee
巻・号・頁	pp.97-98
著者・共著者	Tetsuo Makie and Narihiko Maeda
概要	電力応用に重要なノーマリオフ型のヘテロ構造FET（HFET）として高いしきい値電圧と高いドレイン電流を示すリセスゲート促進障壁層構造のAlGaN/GaN HFETにおいて、非対称オープン・ゲート構造のデバイスを作製してその高温特性を調べたところ、電流の向きによって電流の温度依存性が全く異なるという特異な伝導特性が確認されたことを報告した。また、この特異な伝導特性は新規デバイスへの応用の可能性もあり、機構の解明とともに興味深いことを報告した。