ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2005
形態種別	国際会議論文
査読	査読あり
標題	"High mobility fully-depleted germanium-on-insulator pMOSFET with 32-nm-thick Ge channel layer formed by Ge-condensation technique"
執筆形態	共著
掲載誌名	Extended Abstract of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
掲載区分	国外
巻・号・頁	pp.868
担当区分	筆頭著者,責任著者
著者・共著者	S. Nakaharai, T. Tezuka, E. Toyoda, N. Hirashita, Y. Moriyama, T. Maeda, T. Numata, N. Sugiyama, S. Takagi,