ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2007
形態種別	国際会議論文
査読	査読あり
標題	“Observation of mobility enhancement in strained Si and SiGe tri-gate MOSFETs with multi-nanowire channels trimmed by hydrogen thermal etching”
執筆形態	共著
掲載誌名	2007 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
掲載区分	国外
巻・号・頁	1-2.,pp.887
著者・共著者	T. Tezuka, E. Toyoda, S. Nakaharai, T. Irisawa, N. Hirashita, Y. Moriyama, N. Sugiyama, N. Taoka, Y. Yamashita, O. Kiso, M. Harada, T. Yamamoto, S. Takagi,
概要	被引用回数：40回