ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2008
形態種別	国際会議論文
査読	査読あり
標題	“Gate all around (GAA) strained-silicon-on-nothing (SSON) MOSFETs and evaluation of their strain by nano-beam diffraction (NBD)”
執筆形態	共著
掲載誌名	2008 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
掲載区分	国外
巻・号・頁	pp.77
著者・共著者	K. Usuda, S. Nakaharai, T. Irisawa, Y. Moriyama, N. Hirashita, T. Tezuka, Y. Yamashita, N. Taoka, O. Kiso, Y. Yamamoto, N. Sugiyama, S. Takagi,