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ナカハライ シュウ
中払 周 所属 工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2008 |
| 形態種別 | 国際会議論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | “High mobility sub-60 nm gate length germanium-on-insulator channel pMOSFETs with metal source/drain and TaN MIPS gate” |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Extended Abstract of 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) |
| 掲載区分 | 国外 |
| 巻・号・頁 | pp.32 |
| 著者・共著者 | K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Harada, T. Yamamoto, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, T. Tezuka, N. Taoka, I. Watanabe, N. Hirose, N. Sugiyama, S. Takagi, |