マエダ　ナリヒコ   前田　就彦    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2004/08
形態種別	国際会議論文
査読	査読あり
標題	（国際学会論文）Al2O3/Si3N4 Insulated Gate Channel-Doped AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Regrown Ohmic Structure: Low Gate Leakage Current with High Transconductance
執筆形態	共著
掲載誌名	SSDM2004(2004 International Conference on Solid State Devices and Materials)
巻・号・頁	Tokyo, Japan
著者・共著者	N. Maeda, T. Makimura, C. Wang, M. Hiroki, T. Makimoto, T. Kobayashi, and T. Enoki
概要	主筆