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マエダ ナリヒコ
前田 就彦 所属 工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 2005/08 |
| 形態種別 | 国際会議論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | (国際学会論文)RF and DC Characteristics in Al2O3/Si3N4Insulated-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Regrown Ohmic Structure |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | ICNS6(6th International Conference on Nitride Semiconductors) |
| 巻・号・頁 | Bremen, Germany |
| 著者・共著者 | N. Maeda, T. Makimura, T. Maruyama, C. Wang, M. Hiroki, H. Yokoyama, T. Makimoto, T. Kobayashi, and T. Enoki |
| 概要 | 主筆 |