ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2005
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	“High mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs using Pt germanide Schottky source/drain”
執筆形態	共著
掲載誌名	IEEE Electron Device Letters
掲載区分	国外
巻・号・頁	26,pp.102
著者・共著者	T. Maeda, K. Ikeda, S. Nakaharai, T. Tezuka, N. Sugiyama, Y. Moriyama, S. Takagi,
概要	インパクトファクタ：4.187, 被引用回数：130回