ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2005
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	“High-moibility strained SiGe-on insulator pMOSFETs with Ge-rich surface channels fabricated by local condensation technique”
執筆形態	共著
掲載誌名	IEEE Electron Device Letters
掲載区分	国外
巻・号・頁	26,pp.243
著者・共著者	T. Tezuka, S. Nakaharai, Y. Moriyama, N. Sugiyama, S. Takagi,
概要	インパクトファクタ：4.187, 被引用回数：87回