ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2007
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	“The generation of crystal defects in Ge-on-insulator (GOI) layers in the Ge-condensation process”
執筆形態	共著
掲載誌名	Semiconductor Science and Technology
掲載区分	国外
巻・号・頁	22,pp.S103
担当区分	筆頭著者,責任著者
著者・共著者	S. Nakaharai, T. Tezuka, N. Hirashita, E. Toyoda, Y. Moriyama, N. Sugiyama, S. Takagi,
概要	インパクトファクタ：2.352, 被引用回数：37回