|
ナカハライ シュウ
中払 周 所属 工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
|
| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2008 |
| 形態種別 | 学術論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | “Deformation Induced Holes in Ge-Rich SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Substrates Fabricated by Ge Condensation Process” |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Applied Physics Express |
| 掲載区分 | 国外 |
| 巻・号・頁 | 1, 101401 |
| 著者・共著者 | N. Hirashita, Y. Moriyama, S. Nakaharai, T. Irisawa, N. Sugiyama, S. Takagi, |
| 概要 | インパクトファクタ:2.895, 被引用回数:26回 |