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リ ネイ
LI NING
李 寧 所属 工学部 電気電子工学科 職種 助教 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 2018/09 |
| 形態種別 | 学術論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | イオン照射によるシリコン基板の高抵抗化技術 |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 概要 | 高周波の無線通信デバイスでは基板損失を低減するために抵抗率の高い基板が望まれている.CMOS回路技術によりデジタル回路とアナログ回路をシリコン基板上に集積できるため，チップサイズを小さくできコスト低減を図ることができるが，シリコン基板の抵抗率が低いことが問題視されている.本論文では，ポストパッシベーションプロセスとして開発を進めているサイクロトロン加速器を用いたイオン照 射によるシリコン基板の高抵抗化技術を半導体デバイス製造の新規プロセスに適用する際の課題について検証した結果を報告する.
副筆 |