ホソダ　ナオエ   細田　奈麻絵    所属   片柳研究所 研究者    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	1997/01
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	Room Temperature GaAs-Si Wafer and InP-Si Wafer Direct Bonding by the Surface Activated Bonding Method
執筆形態	その他
掲載誌名	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
出版社・発行元	Elsevier
巻・号・頁	121,pp.203-206
著者・共著者	T. R. Chung, L. Yang, N. Hosoda, T. Suga
概要	被引用数 95回