ホソダ　ナオエ   細田　奈麻絵    所属   片柳研究所 研究者    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	1998/07
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	1.3μm InGaAs/InP lasers on GaAs substrate fabricated by the surface activated wafer bonding method of room temperature
執筆形態	その他
掲載誌名	J. Applied Physics
巻・号・頁	7273,pp.1565-1566
著者・共著者	T. R. Chung, N. Hosoda, H. Takagi, T. Suga
概要	被引用数 83回