マエダ　ナリヒコ   前田　就彦    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2003
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	（ジャーナル論文）Doping Design of GaN-based Heterostructure Field-Effect Transistors with High Electron Density for High-Power Applications
執筆形態	共著
掲載誌名	Physica Status Solidi A
巻・号・頁	Vol. 200(No.1),168-174頁
著者・共著者	N. Maeda, T. Tawara, T. Saitoh, K. Tsubaki, and N. Kobayashi
概要	主筆