タカギ　シゲユキ   高木　茂行    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2014/07
形態種別	学術論文
標題	高速スイッチング用GaNデバイスの定常および過渡状態での熱シミュレーション
執筆形態	共著
掲載誌名	エレクトロニクス実装学会誌
概要	GaNを使ったマイクロ波デバイスとパワーデバイスで、定常状態と過渡状態における熱シミュレーションを行った。有限要素法を用いて定常状態の温度分布と過渡状態での温度分布を求めた後、Foster型の熱透過回路モデルを抽出した。熱等価回路モデルでは、デバイスの層数よりも回路段数を多くすることにより、高周波領域における温度変化を表現できる。このモデルをマイクロ波デバイスとパワーデバイスに適用した結果、それぞれに適したスイッチング周波数の温度変化は16.9℃と1.7℃であった。温度差の原因は、熱源の消費電力密度が異なるためである。