マエダ　ナリヒコ   前田　就彦    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2004
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	（ジャーナル論文）Device Performance at Elevated Temperatures up to 200 oC in AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field Effect Transistors with Ultra-Thin Al2O3/Si3N4 Bilayer
執筆形態	共著
掲載誌名	Proceedings of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
巻・号・頁	45-46頁
著者・共著者	C. X. Wang, N. Maeda, M. Hiroki, N. Kobayashi, and T. Enoki,
概要	副筆　IEEE Cat. No. 04EX829