マエダ ナリヒコ
前田 就彦 所属 工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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言語種別 | 日本語 |
発行・発表の年月 | 2005 |
形態種別 | 学術論文 |
査読 | 査読あり |
標題 | (ジャーナル論文)Comparison of AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field-Effect Transistors with Ultrathin Al2O3/Si3N4 Bilayer and Si3N4 Single Layer |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Japanese Journal of Applied Physics |
巻・号・頁 | Vol. 44(No.4B),2747-2450頁 |
著者・共著者 | C. X. Wang, N. Maeda, M. Hiroki, T. Tawara, T. Makimoto, N. Kobayashi, and T. Enoki, |
概要 | 副筆 |