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マエダ ナリヒコ
前田 就彦 所属 工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 2005 |
| 形態種別 | 学術論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | (ジャーナル論文)DC and RF characteristics in Al2O3/Si3N4insulated-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Japanese Journal of Applied Physics [Express Letter] |
| 巻・号・頁 | Vol. 44(No.20-23),L646-648頁 |
| 著者・共著者 | N. Maeda, T. Makimura, T. Maruyama, C. Wang, M. Hiroki, H. Yokoyama, T. Makimoto, T. Kobayashi, and T. Enoki |
| 概要 | 主筆 |