マエダ　ナリヒコ   前田　就彦    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2005
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	（ジャーナル論文）High Drain Current Density and Reduced Gate Leakage Current in Channel-Doped AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Al2O3/Si3N4 Gate Insulator
執筆形態	共著
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻・号・頁	Vol. 87(No.7),73504-73506頁
著者・共著者	N. Maeda, C. Wang, T. Enoki, T. Makimoto, and T. Tawara,
概要	主筆