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マエダ ナリヒコ
前田 就彦 所属 工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 2006 |
| 形態種別 | 学術論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | (ジャーナル論文)Mechanism of Superior Suppression Effect on Gate Current Leakage in Ultrathin Al2O3/Si3N4 Bilayer-based AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field-Effect Transistors |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Japanese Journal of Applied Physics |
| 巻・号・頁 | Vol. 45(No.1A),40-42頁 |
| 著者・共著者 | C. X. Wang, N. Maeda, M. Hiroki, H. Yokoyama, N. Watanabe, T. Makimoto, T. Enoki, and T. Kobayashi |
| 概要 | 副筆 |