ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2003/10
形態種別	学術論文
標題	Characterization of 7-nm-thick strained Ge-on-insulator layer fabricated by Ge-condensation technique
執筆形態	共著
掲載誌名	Applied Physics Letters
巻・号・頁	83
概要	主筆 シリコンに替わる新しいトランジスタのチャネル材料としてゲルマニウムを用いるための基盤研究である。短チャネル効果への耐性のある薄膜チャネルを得るために酸化濃縮法によるＧｅ薄膜の絶縁層上への形成に初めて成功した。応募者が筆頭著者として研究を推進し、実験、解析、論文執筆まで全体を主担当した。 　　　　　　　　　　（その他 127 件）