ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2013/06
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	"Conduction Tuning of Graphene Based on Defect-Induced Localization"
執筆形態	共著
掲載誌名	ACS Nano
巻・号・頁	7,pp.5694-5700
担当区分	筆頭著者,責任著者
概要	主筆 グラフェンに対してヘリウムイオン照射を施すことにより電気伝導特性が変わることを系統的に調べた。特にヘリウムイオン顕微鏡を利用してイオンの照射領域やドーズ量を精密に制御した上で電気伝導特性評価を行ったところ、照射領域長に対して指数関数的に抵抗値が変化することを見出した。応募者が筆頭かつ責任著者として研究全体を発案し、実験、解析、論文執筆まで主担当した。