|
エガシラ ヤスユキ
江頭 靖幸 所属 工学部 応用化学科 職種 教授 |
|
| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 1991 |
| 形態種別 | 学術論文 |
| 標題 | Mechanism of Step Coverage Formation of SiO2 Films from TEOS and Effects of Gas Phase Additives Studied by Micro/Macrocavity Method |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | J. de Physique IV, Colloque C2, Suppl. au Journal de Physique II |
| 巻・号・頁 | 1,pp.C2-55-61 |
| 著者・共著者 | Y.Egashira, T.Sorita, S.Shiga, K.Ikuta and H.Komiyama |