ナカハライ シュウ
中払 周 所属 工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 2002 |
形態種別 | 国際会議論文 |
査読 | 査読あり |
標題 | “Experimental evidence of low dislocation density of SiGe-on-insulator substrates fabricated by oxidizing SiGe/SOI structures” |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Extended Abstract of 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) |
掲載区分 | 国外 |
巻・号・頁 | pp.146 |
著者・共著者 | N. Sugiyama, Y. Moriyama, T. Tezuka, T. Mizuno, S. Nakaharai, K. Usuda, and S. Takagi, |