ナカハライ シュウ
中払 周 所属 工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 2003 |
形態種別 | 国際会議論文 |
査読 | 査読あり |
標題 | “Strain relaxation mechanism of SiGe-on-insulator layers in the Ge-condensation technique” |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Proceedings of Third International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures |
掲載区分 | 国外 |
巻・号・頁 | pp.129 |
担当区分 | 筆頭著者,責任著者 |
著者・共著者 | S. Nakaharai, T. Tezuka, N. Sugiyama, S. Takagi, |