ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2003
形態種別	国際会議論文
査読	査読あり
標題	“Physical mechanism for high hole mobility in (110)-surface strained- and unstrained-MOSFETs”
執筆形態	共著
掲載誌名	2003 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Digest
掲載区分	国外
巻・号・頁	pp.809
著者・共著者	T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, Y. Moriyama, S. Nakaharai, T. Maeda, S. Takagi,
概要	被引用回数：18回