|
ナカハライ シュウ
中払 周 所属 工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
|
| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2003 |
| 形態種別 | 国際会議論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | “Kinetices of epitaxial growth of Si and SiGe films on (110) Si substrates” |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | First International SiGe Technology and Device Meeting |
| 掲載区分 | 国外 |
| 巻・号・頁 | pp.239 |
| 著者・共著者 | N. Sugiyama, Y. Moriyama, S. Nakaharai, T. Tezuka, T. Mizuno, and S. Takagi, |