ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2003
形態種別	国際会議論文
査読	査読あり
標題	“Evaluation of relaxation of strained-Si layers on SiGe-on-insulator (SGOI) substrate after mesa isolation”
執筆形態	共著
掲載誌名	First International SiGe Technology and Device Meeting
掲載区分	国外
巻・号・頁	pp.139
著者・共著者	K. Usuda, T. Mizuno, T. Tezuka, N. Sugiyama, Y. Moriyama, S. Nakaharai, and S. Takagi,