ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2004
形態種別	国際会議論文
査読	査読あり
標題	“Selectively-formed high mobility SiGe-on-Insulator pMOSFETs with Ge-rich strained surface channels using local condensation technique”
執筆形態	共著
掲載誌名	2004 Symposium on VLSI Technology (VLSI Symp.), Digest of Technical Papers
掲載区分	国外
巻・号・頁	pp.198
著者・共著者	T. Tezuka, S. Nakaharai, Y. Moriyama, N. Sugiyama, S. Takagi,
概要	被引用回数：60回