ナカハライ シュウ
  中払 周
   所属   工学部 電気電子工学科
   職種   教授
言語種別 英語
発行・発表の年月 2004
形態種別 国際会議論文
査読 査読あり
標題 “High velocity electron injection MOSFETs for ballistic transistors using SiGe/strained-Si heterojunction source structures”
執筆形態 共著
掲載誌名 2004 Symposium on VLSI Technology (VLSI Symp.), Digest of Technical Papers
掲載区分国外
巻・号・頁 pp.202
著者・共著者 T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, Y. Moriyama, S. Nakaharai, T. Maeda, S. Takagi,
概要 被引用回数:18回