ナカハライ シュウ
中払 周 所属 工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 2005 |
形態種別 | 国際会議論文 |
査読 | 査読あり |
標題 | "Performance enhancement under high-temperature operation and physical origin of mobility characteristics in Ge rich strained SiGe-on-insulator pMOSFETs" |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Extended Abstract of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) |
掲載区分 | 国外 |
著者・共著者 | T. Tezuka, S. Nakaharai, Y. Moriyama1, N. Hirashita, N. Sugiyama, A. Tanabe, K. Usuda, S. Takagi, |