マエダ　ナリヒコ   前田　就彦    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2019/06
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	Proposal of GaN oxide-formed two-step wet etching process for n-GaN
執筆形態	共著
掲載誌名	Japanese Journal of Applied Physics
掲載区分	国外
出版社・発行元	The Japan Society of Applied Physics
巻・号・頁	58,pp.SCCD18
著者・共著者	Yasuharu Kiyoto, Tetsuo Makie, Hiroshi Fujioka, and Narihiko Maeda
概要	GaNにおいて低ダメージかつ制御性の高いエッチングの方法として、電気化学的手法を用いたGaNの陽極酸化と酸化物除去を組み合わせた2段階ウェットエッチング法によりデバイスのパターニングが可能であることを報告し、新しいエッチング法として提案を行った。さらに、陽極酸化の進行プロセスが、まず深さ方向に酸化が進行した後に横方向に酸化が進行するという非常に興味深い機構であることを示唆する実験結果を示すことにより、2段階ウェットエッチング法の機構のモデルの提案を行った。