エガシラ ヤスユキ
江頭 靖幸
所属
工学部 応用化学科
職種
教授
言語種別
英語
発行・発表の年月
1997
形態種別
学術論文
標題
Initial growth of chemical-vapor-deposited SiO
2
執筆形態
共著
掲載誌名
J.Appl.Phys.
巻・号・頁
82(5),pp.2655-2661
著者・共著者
M.Ishikawa,
Y.Egashira
and H.Komiyama