ナカハライ　シュウ   中払　周    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2006
形態種別	国際会議論文
査読	査読あり
標題	“Generation of crystal defects in Ge-on-insulator (GOI) layers in Ge-condensation process”
執筆形態	共著
掲載誌名	Third International SiGe Technology and Device Meeting
掲載区分	国外
巻・号・頁	pp.208
担当区分	筆頭著者,責任著者
著者・共著者	S. Nakaharai, T. Tezuka, N. Hirashita, E. Toyoda, Y. Moriyama, N. Sugiyama and S. Takagi,