マエダ　ナリヒコ   前田　就彦    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2018/11
形態種別	国際会議論文
査読	査読あり
標題	Proposal of GaN oxide-formed two-step wet etching process
執筆形態	共著
掲載誌名	Abstract of International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
掲載区分	国外
出版社・発行元	Committee of International Workshop on Nitride Semiconductors
巻・号・頁	pp.304-304
著者・共著者	Yasuharu Kiyoto, Tetsuo Makie, Hiroshi Fujioka, and Narihiko Maeda
概要	GaNにおいて低ダメージかつ制御性の高いエッチングの方法として、電気化学的手法を用いたGaNの陽極酸化と酸化物除去を組み合わせた2段階ウェットエッチング法によりデバイスのパターニングが可能であることを示し、新しいエッチング法として提案を行った。