東京工科大学 教員業績   
     
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    (最終更新日:2016-07-22 10:32:38)
  モニワ マサヒロ   
  茂庭 昌弘
   所属   工学部 電気電子工学科
   職種   教授
■ 職歴/学内役職・委員
1. 1982/04 (株)日立製作所 中央研究所 入社
2. 1982/07~1982/09 SOI(Si-on-Insulator)基板上におけるMOSFETのデバイスシミュレーション
3. 1982/09~1994/08 Si固相エピタキシャル成長によるSOI構造の形成に関する研究.
4. 1994/08 (株)日立製作所 中央研究所 主任研究員
5. 1994/08~1996/02 強誘電体 (PZT) 薄膜を用いた不揮発性メモリデバイスの研究.
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■ 著書・論文歴
1. 2016/05 著書  超低消費電カシステムを実現する不揮発性メモリの基本原理と使い方および最新技術動向 (共著) 
2. 2012/03 その他  (調査報告書)
Flashメモリの限界追求と新規NV-RAMの実現可能性 (共著) 
3. 2011/08 論文  The Observation of "Conduction Spot" on NiO Resistance Random Access Memory (共著) 
4. 2011/05 論文  Floating Gate Memory with Bio- mineralized Nanodots Embedded in HfO2 (共著) 
5. 2011/03 論文  I-V measurement of NiO nanoregion during observation by transmission electron microscopy (共著) 
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■ 学会発表
1. 2016/07/09 (チュートリアル) 新規不揮発性メモリの研究開発 - 新時代を目指して -(非線形勉強会)
2. 2014/10/22 (チュートリアル) 不揮発メモリの基礎と最新の研究開発動向(Advanced Metallization Conference 2014, 24rd Asian Session (ADMETA Plus 2014))
3. 2008/10/03 (招待講演) 相変化メモリ (PRAM) の可能性と課題(日本学術振興会, 半導体界面制御技術第154委員会, 第65回研究会資料, pp. 21-28)
4. 2004/07/23 (招待講演) 高集積SoC向け部分空乏型新縦型Poly-Si MOS FET(応用物理学会分科会, シリコンテクノロジー, No.64, "研究会資料, JSAP Catalog Number: AP042233, pp. 16-19)
5. 1990/05/11 (招待講演) SiO2膜上におけるSi固相成長とその応用(電気学会, 第20回新集積デバイス調査専門委員会/第21回超微細回路加工技術調査専門委員会(委員長: 御子柴宣夫), 委員会資料)
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■ 取得特許
1. 1987/09/15 Process for manufacturing semiconductor devices containing micro-bridges(Pat. No.: US 4692994)
2. 1989/02/28 SOI Process for forming a thin film transistor using solid phase epitaxy(Pat. No.: US 4808546)
3. 1990/06/26 Semiconductor memory and method of producing the same(Pat. No.: US 4937641)
4. 1991/01/08 Semiconductor memory and method of producing the same(Pat. No.: US 4984038)
5. 1992/05/19 Semiconductor device and semiconductor memory device(Pat. No.: US 5115289 A)
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■ 社会における活動
1. 1987/05 ランプセッション・パネリスト 1987 Symposium on VLSI Technology(May 18-21, 1987, Karuizawa Japan, sponsored by The Japan Society of Applied Physics & The IEEE Electron Devices Society)Rump Session, R-2 "Low Temperature Processing vs. Rapid Thermal Processing" (arranged by S. Nakajima (NTT) and K. C. Saraswat (Stanford Univ.).
2. 1996~2003 電気化学会 電子材料委員会, 論文委員 (半導体・集積回路技術シンポジウム, 年2回開催, 委員長:東京工業大学 小田俊理 教授):第51回シンポジウム-第65回シンポジウム, 計15回
3. 2000/12 半導体・集積回路技術 第59回シンポジウム, 実行委員長(電気化学会 電子材料委員会, 2000年12/14-15, 機械振興会館, 東京).
4. 2007~2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 論文委員会, Advanced Memory Technologyサブコミッティー, 論文委員:2007年度 (9/19-21, Tsukuba), コチェア:2008年度 (9/24-26, Tsukuba), コチェア:2009年度 (10/7-9, Sendai), バイスチェア:2010年度 (9/22-24, Tokyo), チェア:2011年度 (9/28-30, Nagoya), チェア:2012年度 (9/25-27, Kyoto)
5. 2007/11 電子情報コース/技術セミナー/新規不揮発性メモリ, 北海道大学大学院 情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻(大学院生対象)
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■ 所属学会
1. 2008~ IEEE EDS Kansai-Chapter
2. 2008~ ∟ 委員
3. 応用物理学会
4. 2008~2010 ∟ JJAP編集委員会 SSDM特集号 編集委員
5. 2010~2014/01 ∟ 代議員
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■ 受賞学術賞
1. 2000/12 知的所有権賞 戦略発明部門 銀賞
2. 2004/07 特許賞(戦略発明賞) 金賞
■ 資格・免許
1. 1993/05/07 特定高圧ガス取扱主任者*

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