東京工科大学 教員業績   
     
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    (最終更新日:2016-07-19 09:46:28)
  マエダ ナリヒコ   
  前田 就彦
   所属   工学部 電気電子工学科
   職種   教授
■ 職歴/学内役職・委員
1. 1990/04~1994/02 日本電信電話株式会社 NTT基礎研究所 研究員
2. 1994/02~2003/03 NTT基礎研究所 主任研究員
3. 2003/04~2014/07 NTTフォトニクス研究所 主任研究員
4. 2007/04~2014/09 東京大学 生産技術研究所 研究員(非専任)
5. 2007/04~2008/03 立命館大学 COE推進機構 特別招聘教授
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■ 著書・論文歴
1. 2013 論文  (ジャーナル論文)High-Temperature Characteristics in Recessed-Gate AlGaN/GaN Enhancement-Mode Heterostructure Field Effect Transistors with Enhanced-Barrier Structures (共著) 
2. 2013 論文  (ジャーナル論文)Influence of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Regrowth on Characteristics of InAlN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (共著) 
3. 2013 論文  (ジャーナル論文)Unintentional Ga incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of In-containing III-nitride semiconductors (共著) 
4. 2012/10 論文  (国際学会論文)High-Temperature Characteristics in Recessed-Gate AlGaN/GaN E-mode HFETs with Enhanced-Barrier Structures (共著) 
5. 2012/10 論文  (国際学会論文)Unintentional Ga Incorporation in MOVPE Growth of InAlN (共著) 
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■ 学会発表
1. 2015/09/13 (口頭発表論文)AlGaN/GaNリセスTLMデバイス構造の電気特性評価(応用物理学会 第76回応用物理学会秋季学術講演会)
2. 2015/03/11 (口頭発表論文)リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN 非対称Open-Gate HFETの高温特性(応用物理学会 第62回応用物理学会学術講演会)
3. 2013/03 (口頭発表論文)リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN Open-Gate HFETの高温特性(応用物理学会 第60回応用物理学関係連合講演会)
4. 2012/09 (口頭発表論文)InAlNのMOVPE成長における留意点: Gaの混入(応用物理学会 第73回応用物理学会学術講演会)
5. 2012/09 (口頭発表論文)再成長により作製したInAlN/GaN HEMTの特性(応用物理学会 第73回応用物理学会学術講演会)
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■ 取得特許
1. 2003/01/20 半導体装置(特許第3369464号)
2. 2010/06/09 半導体装置(特許第4479886号)
3. 2011/01/12 リセスゲート構造HFETおよびその製造方法(特許第4609876号)
4. 2011/10/12 リセスゲート構造HFETおよびその製造方法(特許第4793800号)
5. 2011/10/26 窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ(特許第4799965号)
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■ 社会における活動
1. 2002/10~2003/05 ICNS5(5th International Conference on Nitride Semiconductors) 渉外委員
2. 2005/11~2006/10 IWN2006(International Workshop on Nitride Semiconductors 2006) 会計委員
3. 2008/04~2014/03 SPIE Photonics West Program Committee
■ 所属学会
1. 2002/04 電子材料シンポジウム(EMS: Electronic Materials Symp.)
2. 2002/04~2004/03 ∟ 会計委員
3. 2004/04~2009/07 ∟ 論文委員
4. 2009/08~2011/07 ∟ 実行副委員長
5. MRS
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■ 受賞学術賞
1. 2000/02 社内表彰 1999年度NTT物性基礎研究所長表彰業績賞
2. 2003/02 社内表彰 2002年度先端技術総合研所長表彰 研究開発賞
■ 資格・免許
1. 危険物取扱者(乙4・6)
2. 高圧ガス製造保安責任者(丙種化学)
3. 特定高圧ガス取扱主任者(特殊高圧ガス)
4. 有機溶剤作業主任者

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