タカギ　シゲユキ   高木　茂行    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2014/11
形態種別	学術論文
標題	GaN HEMT素子の熱・電気練成シミュレーション
執筆形態	共著
掲載誌名	電子情報通信学会論文誌
巻・号・頁	C
概要	高移動度トランジスタ（GaN HEMT）の熱・電気連成シミュレーションを構築し、高周波D級アンプの動的解析を行った。熱シミュレーションには、3次元有限要素モデルから抽出した近似誤差3%以下のFoster型熱透過回路を用いた。回路シミュレーションには、SPICEのCurticeモデルを用い、GaN HEMTのVDS-IDS特性に合うよう、モデルの回路素子パラメータをフィッティングした。GaN HEMTの素子部をスイッチとオン抵抗を用いて表現し、ドレイン効率は300MHzで46.9%、3GHzで38.6%となった。熱依存性を考慮しないモデルで評価した値に比べ、それぞれ1.5%と1.1%低くなり、高周波動作領域で、熱・電気連成シミュレーションによる回路解析が有効であることが示された。