エガシラ　ヤスユキ   江頭　靖幸    所属   工学部 応用化学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	1996
形態種別	学術論文
標題	The Effect of Gas-Phase Additives C2H4, C2H6, and C2H2 on SiH4/O2 Chemical Vapor Deposition
執筆形態	共著
掲載誌名	J. Electrochem. Soc（1996）
巻・号・頁	143,1355-1361頁
著者・共著者	T.Takahashi, K.Hagiwara, Y.Egashira and H.Komiyama
概要	副筆 SiH4/O2反応系を用いたシリコン酸化膜のCVD(化学気相成長)法において気相での紛体の生成が膜質を悪くすることが知られている。外熱式CVD反応器での製膜実験によってC2H4、C2H6、C2H2を添加すると気相での紛体生成が抑制され、膜質が向上することを見いだした。さらにSiH4/O2反応系の反応シミュレーションでこれらの添加ガスの効果が再現可能であることを示した。