マエダ　ナリヒコ   前田　就彦    所属   工学部 電気電子工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2005
形態種別	学術論文
査読	査読あり
標題	（ジャーナル論文）Al2O3/Si3N4 Insulated Gate Channel-Doped AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Regrown Ohmic Structure: Low Gate Leakage Current with High Transconductance
執筆形態	共著
掲載誌名	Japanese Journal of Applied Physics
巻・号・頁	Vol. 44(No.4B),2747-2750頁
著者・共著者	N. Maeda, T. Makimura, C. Wang, M. Hiroki, T. Makimoto, T. Kobayashi, and T. Enoki,
概要	主筆