ナカムラ　ヒデアキ   Hideaki Nakamura   中村　秀明    所属   学環 教養学環    職種   専任講師
言語種別	英語
発行・発表の年月	1998/03
形態種別	その他
標題	EU-Japan Student Exchange Program; Vulcanus 97' Report "Characterization of Semicondoctor Structures for Optoelectronic Devices"
執筆形態	単著
巻・号・頁	pp.Total 44 pages
著者・共著者	Hideaki Nakamura
概要	旧通商産業省・日欧産業協力センター主催ヴルカヌス・プログラム97' 日欧交換留学レポート 　ベルギー・ブリュッセルにおける2週間の研修，イギリス・ボーンマスにおける3.5ヶ月間の語学研修，ドイツ・ミュンヘンにおける8ヶ月間の企業研修について、それらの体験をまとめた．ドイツにおける企業研修ではシーメンス社中央研究所光工学部門のProf. Dr. Eberhard Veuhoff研究室に配属され，エピタキシャル成長法により作製される半導体レーザーの開発に携わった．そこでは絶対零度に近い2 Kにおける半導体レーザーの特性評価を主なテーマとして研究に参加した．この研究では，卒業研究で学んだ半導体微細加工技術（マイクロマシン技術）の知識を活かすことができた．条件を変えて作製した半導体レーザーを加工し，その特性をホール効果，閾値電流密度，光ルミネセンス，結晶構造（X線解析）などにより評価した（第1章～第3章）． 　その他，本レポートではイギリスやドイツでの私生活における様々な体験などもあわせてまとめた（第4章）．